Teoria Obwodów - Laboratorium
Temat: Badanie tranzystora unipolarnego
ćwiczenie wykonali:	prowadzący zajęcia:	PWSZ Leszno Elektrotechnika semestr III	Data:
						15.04.2010.r
Kordian Urbaniak		mgr inż. Grzegorz Pilzak	Ocena
Tomasz Wierzba
Artur Gromada

1. Schemat układu pomiarowego:

2. Wykaz przyrządów:

• zasilacz stabilizowany regulowany 5 V;

• zasilacz stabilizowany regulowany 60 V;

• rezystory dodatkowe;

• zestaw z badanym tranzystorem unipolarnym;

• mierniki cyfrowe;

• mierniki uniwersalne

3. Wyznaczanie charakterystyki przejściowej I_D = f(U_GS) przy U_DS = const.

UDS = 10 V (UDStr = 7,3 V)		UDS = 20 V (UDStr = 14 V)
UGS [V]	ID [mA]	UGS [V]	ID [mA]
4	425	3,99	860
3,06	285	3,23	780
3,01	200	3,14	590
2,94	116	3,09	490
2,92	100	3,03	310
2,87	60	2,96	198
2,82	45	2,91	130
2,74	20	2,87	100
2,72	16	2,82	58
2,63	6	2,8	52,5
0	0	2,75	27,5
		2,72	20
		2,66	10
		0	0

4. Wyznaczanie charakterystyki wyjściowej I_D = f(U_DS) przy U_GS = const.

UGS = 3,3 V			UGS = 3,6 V			UGS = 3,9 V
UDS [V]	UDStr [V]	ID [mA]	UDS [V]	UDStr [V]	ID [mA]	UDS [V]	UDStr [V]	ID [mA]
38,68	3,64	1500	35,8	0,76	1500	35,5	0,46	1500
31,57	1,9028	1270	30,3	0,1656	1290	30,4	0,032	1300
25,62	0,6248	1070	25,1	0,1048	1070	25,65	-0,046	1100
19,8	0,1272	840	20,8	-0,0438	890	21,1	0,022	900
16,09	0,1644	680	14,83	0,0754	630	13,9	-0,152	600
13,3	0,0677	565	12,13	-0,0484	520	11,73	0,02	500
10,65	0,111	450	9,54	-0,0622	410	9,32	-0,048	400
8,9	0,1175	375	7,44	-0,0544	320	7,4	0,0227	315
5,9	0,0025	250	6,1	0,01378	258	6,18	0,0466	260
5,28	0,04302	222	5,06	0,01174	214	5,28	0,04302	222
4,34	-0,00056	184	4,12	-0,03184	176	4,16	-0,039	178
3,17	-0,02858	134	3,08	-0,0231	130	3,01	-0,0454	128
2,59	0,01204	108	2,68	0,00656	112	2,62	-0,0296	111
2,06	0,00718	86	2,09	-0,01056	88	2,09	-0,0583	90
1,53	-0,03352	64	1,47	-0,04466	62	1,55	-0,0379	65
1,14	-0,00821	47	1,37	0,038565	54,5	1,3	0,00521	53
0,73	-0,0509	30	0,99	-0,03818	39,5	1,03	-0,0763	42,5
0,5	-0,0206	20	0,74	0,000748	28,4	0,67	-0,0016	25,8
0,35	0,022022	12,6	0,6	0,006516	22,8	0,49	-0,0046	19
0,04	0,003558	1,4	0,46	0,007078	17,4	0,2	-0,0082	8
0	0	0	0	0	0	0	0	0

5. Wnioski:

 Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są również nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego rodzaju nośników, czyli albo elektronów albo dziur. Sterowanie transportem tych nośników, odbywającym się w części tranzystora zwanej kanałem, odbywa się za pośrednictwem zmian pola elektrycznego przyłożonego do elektrody zwanej bramką. 
    Bramka jest odizolowana od kanału, a więc pomiędzy nią a pozostałymi elektrodami tranzystora polowego, znajdującymi się na obu końcach kanału (zwanych źródłem oraz drenem) występuje bardzo duża impedancja. 
    Tranzystory polowe zajęły obecnie miejsce tranzystorów bipolarnych, zalicza się je do najczęściej stosowanych elementów dyskretnych. Rewelacyjne efekty można uzyskać, stosując tranzystory polowe w połączeniu z obwodami scalonymi, zarówno dla niskich jak i wysokich częstotliwości.

Charakterystyka przejściowa - zależność prądu drenu (I_D) od napięcia bramka-źródło (U_GS) przy stałym napięciu dren-źródło (U_DS). Na podstawie tej charakterystyki możemy stwierdzić, że przy małych wartościach napięcia między bramką, a źródłem wartości prądu drenu są w przybliżeniu podobne, a przy większej wartości napięcia między bramką a źródłem(około 2,7V), obserwujemy duże różnice wartości prądu drenu (Id) przy różnych wartościach napięcia między drenem, a źródłem.

Charakterystyka wyjściowa - zależność prądu drenu (I_D) od napięcia dren-źródło (U_DS), przy stałym napięciu bramka-źródło (U_GS).Na podstawie tej charakterystyki można powiedzieć, że w zakresie liniowym (nienasycenia) tranzystor unipolarny zachowuje się jak rezystor półprzewodnikowy. Prąd I_D ze wzrostem napięcia U_DS wzrasta w przybliżeniu liniowo.
W zakresie nasycenia napięcie U_DS bardzo nieznacznie wpływa na wartość prądu drenu, natomiast bramka zachowuje właściwości sterujące

Napięcie między bramką a źródłem (U_GS) nie może przekroczyć 4 V gdyż grozi to uszkodzeniem badanego tranzystora.

3

---