POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA W KIELCACH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
Ćwiczenie nr 3	Temat ćwiczenia : Badanie tranzystora unipolarnego --> [Author:GZ]	Wykonali:
Data wykonania 13.04.2002 r	Ocena:	Podpis:

1.Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest pomiar charakterystyk I_D=f(U_DS) oraz I_D=f(U_GS) tranzystora polowego BF 245. Wyznaczamy charakterystyczne parametry takie jak g_m i r_d

Schemat układu pomiarowego :

2. TABELE POMIAROWE :

a) I_D=f(U_DS) dla U_GS=const.

U GS [V]	-0	ID [mA]	0	0,46	0,95	1,4	2,1	3,1	3,7	4,36	4,9	5,4	5,95	6,09	6,11	6,2
				UDS [V]	0	0,1	0,2	0,3	0,5	0,8	1	1,3	1,6	2	3	4	6	20
			-0,5	ID [mA]	0	0,4	0,71	1,05	1,64	1,95	2,41	2,82	3,44	4,12	4,27	4,28	4,29	4,3
				UDS [V]	0	0,1	0,2	0,3	0,5	0,6	0,8	1	1,4	2,5	4	6	12	20
			-1	ID [mA]	0	0,3	0,55	0,8	1,26	1,45	1,8	2,06	2,45	2,7	2,8	2,83	2,88	2,95
				UDS [V]	0	0,1	0,2	0,3	0,5	0,6	0,8	1	1,5	2,5	4	6	12	20
			-1,5	ID [mA]	0	0,2	0,39	0,54	0,82	0,93	1,12	1,21	1,34	1,42	1,45	1,48	1,52	1,56
				UDS [V]	0	0,1	0,2	0,3	0,5	0,6	0,8	1	1,5	2,5	4	6	12	20
			-2	ID [mA]	0	0,11	0,2	0,27	0,37	0,4	0,43	0,44	0,47	0,48	0,5	0,51	0,53	0,55
				UDS [V]	0	0,1	0,2	0,3	0,5	0,6	0,8	1	1,5	2	4	6	12	20
			-2,5	ID [mA]	0	0,08	0,14	0,18	0,21	0,22	0,23	0,24	0,25	0,26	0,27	0,28	0,29	0,3
				UDS [V]	0	0,1	0,2	0,3	0,5	0,6	0,8	1	1,5	2	4	6	12	20

b) I_D=f(U_GS) dla U_DS=const.

U DS. [V]	1	ID [mA]	3,8	3,37	3,03	2,69	2,39	2,06	1,75	1,4	1,06	0,76	0,47	0,23	0,06	0
				UGS [V]	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	1,4	1,6	10,8	2	2,2	2,4	2,6
			4	ID [mA]	6,3	5,46	4,7	4,0	3,36	2,75	2,19	1,72	1,27	0,86	0,53	0,27	0,07	0
				UGS [V]	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	1,4	1,6	1,8	2	2,2	2,4	2,6
			6	ID [mA]	6,35	5,43	4,73	4,04	3,44	2,82	2,25	1,76	1,3	0,88	0,53	0,26	0,08	0
				UGS [V]	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	1,4	1,6	1,8	2	2,2	2,4	2,6

3. OBLICZENIA:

1) r_d =
U_GS= const. = -1V

= 1,9 V

= 0,9 mA

r_d = 2,11

2) g_m =
U_DS= const. = 4V

= 0,9 mA

= 0,35 V

g_m­ = 2,57 S

4. WNIOSKI:

W ćwiczeniu wykreślaliśmy charakterystyki statyczne tranzystora polowego złączowego z kanałem typu n (BF 245).Tranzystor jest elementem trójkońcówkowym, dlatego uzależniając wybraną wielkość od innej wielkości należało pamiętać o zachowaniu stałej wartości trzeciego parametru . Zmieniając jego wartość a następnie utrzymując ją na stałym poziomie uzyskujemy w danym układzie współrzędnych tzw. rodzinę charakterystyk .

Do opisu właściwości tranzystora wystarczają dwie charakterystyki:

- przejściowa I_D= f(U_GS)

U_DS=const

- wyjściowa I_D= f(U_DS)

U_GS=const

Z powyższych charakterystyk wyznaczyliśmy parametry :

g_m(nachylenie) ,r_d(rezystancja drenu)

Rozbieżność wyników z obliczeń i z pomiarów wynika

- z niedokładności odczytu ;

- prądów płynących przez woltomierze oraz spadku napięcia na miliamperomierzu;

- z niedokładności wykreślenia charakterystyk;

---