b) dla U_DS=const.

UDS = 4 V		UDS = 6 V
UGS [V]	ID [mA]	UGS [V]	ID [mA]
-1	0,6	-1	0,75
-1,1	0,45	-1,1	0,53
-1,2	0,3	-1,2	0,37
-1,3	0,18	-1,3	0,24
-1,4	0,07	-1,4	0,1
-1,5	0,05	-1,5	0,06
-1,6	0,03	-1,6	0,04
-1,7	0,0018	-1,7	0,02
-1,8	0,0007	-1,8	0,01
-2	0	-2	0

4) Przykładowe obliczenia:

Na podstawie uzyskanych charakterystyk tranzystora sprawdzić można słuszność wzoru:

gdzie: I_DS - maksymalna wartość prądu drenu dla U_GS=0

U_P - napięcie odcięcia

Dla badanego tranzystora BF 245:

I_DSS = 3,4mA

U_P = -2V

z wykresu I_D1=1,98mA

z wykresu I_D2=0,66mA

a) Obliczanie rezystancji wyjściowej dla
:

dla U_GS=0 Vi

r_d=400

dla U_GS=-0,5 V i

r_d=1000

dla U_GS=-1 V i

r_d=1428

b) Obliczanie transkonduktancji dla

dla U_DS=4 V i

g_m=

g_m=1,1mS

dla U_DS=6 V i

g_m=1,3mS

5. Charakterystyki:

6) Uwagi i wnioski:

Na podstawie pomiarów wyznaczono dwie rodziny charakterystyk tranzystora polowego w układzie OS (wspólnego źródła):

1.Charakterystyka bramkowa I_D=I_D(U_GS) przy U_DS=const.

2.Charakterystyka wyjściowa I_D=I_D(U_DS) przy U_GS=const.

Na podstawie charakterystyk bramkowych wyznaczono transkonduktancję (nachylenie) g_m= 1,3mS dla U_DS=6V oraz napięcie odcięcia U_P=-1,98V.

Z charakterystyk wyjściowych wyznaczono rezystancję drenu oraz wyznaczono I_DSS. Pewne rozbieżności pomiędzy wartościami odczytanymi z charakterystyk a obliczonymi wynikają z niedokładności wskazań mierników oraz czasami z odczytanego jedynie przybliżonego wyniku.

Duża rozbieżność obliczonego I_DSS a odczytanego z charakterystyk powstaje na skutek tego, że wzór ten ma zastosowanie do idealnego modelu tranzystora, który może być do tranzystora rzeczywistego zastosowany jedynie z pewnym przybliżeniem i to tylko w liniowym przedziale prądów i napięć.

Badany tranzystor polowy BF245 ma parametry w granicach tolerancji zgodne z katalogowymi.

Dzięki dużej rezystancji wejściowej (prąd bramki pomijalnie mały) tranzystory te znalazły zastosowanie w stopniach wejściowych (np. mierników elektronicznych czy wzmacniaczy).

---