Badanie tranzystorów doc


POLITECHNIKA POZNAŃSKA FILIA W GNIEŹNIE

LABORATORIUM ELEKTRONIKI I TEORII OBWODÓW

Nr ćwiczenia:

Data wykonania ćwiczenia:

Tytuł / treść ćwiczenia: Badanie tranzystorów

Semestr:

3

1. Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora. w układzie OE (wspólnego emitera)

2. Układ pomiarowy:

0x01 graphic

3.Charakterystyka wyjściowa (kolektora) tranzystora.

Ic=f(Uce) dla wartości Ib=5,10,15,20,25 uA

a) Wyniki pomiarów

Ib=5

Ib=10

Ib=15

Ib=20

Ib=25

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

0.02

0.00

0.02

0.00

0.02

0.00

0.02

0.00

0.02

0.00

0.10

0.09

0.05

0.03

0.06

0.09

0.06

0.17

0.04

0.07

0.20

1.12

0.10

0.25

0.08

0.19

0.08

0.40

0.06

0.18

0.30

1.49

0.15

1.04

0.10

0.42

0.12

1.37

0.08

0.57

0.40

1.51

0.20

2.37

0.12

0.99

0.14

2.23

0.10

1.03

0.70

1.52

0.25

3.00

0.14

1.53

0.16

3.24

0.12

1.80

1.30

1.53

0.30

3.15

0.16

2.11

0.20

4.72

0.14

2.96

2.00

1.55

0.40

3.19

0.18

3.05

0.22

5.37

0.16

3.66

3.00

1.57

0.50

3.20

0.20

3.54

0.24

5.72

0.18

4.90

4.00

1.58

1.00

3.23

0.23

4.18

0.30

6.37

0.20

5.83

6.00

1.62

2.00

3.29

0.24

4.43

0.40

6.58

0.22

6.47

8.00

1.65

4.00

3.38

0.26

4.59

0.50

6.62

0.24

7.00

9.91

1.62

5.00

3.42

0.28

4.76

0.70

6.65

0.26

7.43

Ib=5

Ib=10

Ib=15

Ib=20

Ib=25

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

Uce [V]

Ic [mA]

7.00

3.53

0.40

4.89

2.00

6.86

0.40

8.21

8.00

3.56

0.50

4.91

4.00

7.08

0.50

8.29

9.00

3.60

0.80

4.95

6.00

7.33

1.00

8.42

1.00

4.97

8.00

7.65

2.00

8.60

2.00

5.08

9.00

7.84

2.60

8.93

3.00

5.16

3.00

8.98

4.00

5.26

5.00

9.20

6.00

5.40

6.00

9.58

8.00

5.48

8.00

9.30

9.00

5.67

9.00

8.20

b) wykresy charakterystyk

4.Charakterystyka wejściowa (bazowa) tranzystora.

Ib=f(Ube) dla wartości Uce = 1 V , 9 V

a) tabela pomiarów

Uce=1 V

Uce=9 V

b) wykresy charakterystyk



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie tranzystorów polowych 4 doc
Badanie tranzystorów bipolarnego i unipolarnego doc
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v2
Charakterystyki statyczne diíd i tranzystora.DOC, II ROK ELEKTROTECHNIKI MAG._
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v4, Politechnika Lubelska
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających 3, Politechnika Lubelska
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPR EL. 3 HJ
badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN
Badanie tranzystorów unipolarnych typu, ˙wiczenie nr 10
Elektronika- Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystorów1.DOC, LABORATORIUM Z ELEKTR
Badanie tranzystora, TRANZ-~2, POLITECHNIKA RADOMSKA
EN Badanie tranzystorow
Microsoft Word BadaniaOperacyjne liniowe doc i
Badanie tranzystorow polowych zlaczowych JFET cw5

więcej podobnych podstron