Projekt współfinansowany przez Uni

Projekt współfinansowany przez Uni

ę

ę

Europejsk

Europejsk

ą

ą

w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

Część II

Część II

:

:

„Badania laboratoryjne

„Badania laboratoryjne

elementów i układów elektronicznych

elementów i układów elektronicznych

”,

”,

zrealizowana w ramach zadania nr 9 projektu:

zrealizowana w ramach zadania nr 9 projektu:

„

„

Program Rozwojowy Potencjału Dydaktycznego Politechniki Świętokrzyskiej w Kielcach: kształcenie na miarę

Program Rozwojowy Potencjału Dydaktycznego Politechniki Świętokrzyskiej w Kielcach: kształcenie na miarę

sukcesu.”,

sukcesu.”,

nr umowy: UDA-POKL 04.01.01. – 175/08-00.

nr umowy: UDA-POKL 04.01.01. – 175/08-00.

Materiały dydaktyczne pomocnicze i informacyjne do przedmiotu

Materiały dydaktyczne pomocnicze i informacyjne do przedmiotu

PODSTAWY ELEKTRONIKI

PODSTAWY ELEKTRONIKI

dr inż. Marek Fijałkowski

dr inż. Marek Fijałkowski

Katedra Elektroniki i Systemów Inteligentnych

Katedra Elektroniki i Systemów Inteligentnych

Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki Politechniki Świętokrzyskiej

Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki Politechniki Świętokrzyskiej

Al. 1000-lecia P.P. 7, 25-314 Kielce

Al. 1000-lecia P.P. 7, 25-314 Kielce

tel.: [phone], e-mail: [e-mail]

tel.: [phone], e-mail: [e-mail]

Ćwiczenie 6:

Ćwiczenie 6:

Badanie tranzystorów polowych MOSFET.

Badanie tranzystorów polowych MOSFET.

Spis treści

2.2. Wyznaczanie charakterystyk tranzystora MOS

2. Przebieg ćwiczenia laboratoryjnego

2.1. Cel ćwiczenia

1.

Wstęp teoretyczny

3. Symulacje charakterystyk tranzystora MOS

2.3. Opracowanie wyników pomiarów

1.1. Budowa i zasada działania tranzystora polowego

MOS

1.3. Charakterystyki tranzystora MOS w układzie

wspólne źródło

1.2. Układy pracy tranzystora

1.4. Parametry tranzystora polowego MOS

1.Wstęp teoretyczny

Do grupy tranzystorów unipolarnych należą tranzystory z izolowaną

bramką

(IGFET).

W obrębie rodziny tranzystorów IGFET wyróżniamy:

 tranzystory MIS (ang. Metal-Insulator-Semiconductor, co oznacza

układ: metal-izolator-półprzewodnik),

 tranzystory cienkowarstwowe TFT.

Szczególnym przypadkiem tranzystorów MIS są tranzystory MOS

(ang. Metal-Oxide-Semiconductor, co oznacza układ: metal-tlenek-
półprzewodnik). Są one używane nieporównywalnie częściej niż
tranzystory cienkowarstwowe.

Tranzystory polowe MOS dzielą się na:

 „normalnie załączone”,
 „normalnie wyłączone”.
W każdej z tych dwu podgrup wyróżniamy tranzystory z kanałem:
 typu n,
 typu p.

Rys. 1. Oznaczenia graficzne tranzystora unipolarnego MOS z

kanałem wzbogacanym tranzystor „normalnie wyłączony” a) z
kanałem typu p b) z kanałem typu n. Oznaczenia graficzne
tranzystora unipolarnego MOS z kanałem zubożanym,
tranzystor „normalnie załączony” c) z kanałem typu p; d) z
kanałem typu n.

a

)

S

B

D

G

b

)

S

B

D

G

c)

S

B

D

G

d

)

S

B

D

G

1.1. Budowa i zasada działania tranzystora polowego MOS

Rys. 2. Tranzystor unipolarny MOS z kanałem typu n: a) tranzystor

„normalnie wyłączony”, b) tranzystor „normalnie załączony”

S

n

p -

Si

n

kanał

SiO

2

B

G

D

D (Drain)
Dren

G (Gate)

Bramka

S
(Source)
Źródło

n

p -

Si

n

kanał

SiO

2

B (Base)

Podłoże

a)

b)

W tranzystorach polowych MOS występują 4 elektrody:

 Źródło (ang. Source), oznaczone literą S. Jest elektrodą, z której

wypływają nośniki ładunku do kanału.

 Dren (ang. Drain), oznaczone literą D. Jest elektrodą, do której

dochodzą nośniki ładunku. Prąd drenu – I

D

, napięcie dren-źródło –

U

DS

.

 Bramka (ang. Gate), oznaczone literą G. Jest elektrodą sterującą

przepływem ładunków. Napięcie bramka-źródło – U

GS,

.

 Podłoże (ang. Base), oznaczone symbolem B. Elektroda ta

spełnia podobną rolę sterującą jak bramka, jest ona oddzielona od
kanału tylko złączem p-n. Gdy nie korzysta się z funkcji sterującej
podłoża, wówczas łączy się je ze źródłem. Połączenie to może być
wykonane wewnątrz obudowy i wtedy nie ma wyprowadzenia na
zewnątrz.

Obowiązuje następująca zasada polaryzacji podłoża:

 w tranzystorze z kanałem typu p podłoże powinno być na

najwyższym potencjale,

 w tranzystorze z kanałem typu n – na najniższym potencjale.

Gdy warunek ten nie jest spełniony, złącze kanał-podłoże może zostać

spolaryzowane w kierunku przewodzenia, co zazwyczaj powoduje
uszkodzenie tranzystora.

Tranzystor polowy MOS „normalnie wyłączony” z kanałem n

zawiera podłoże krzemowe typu p o niewielkiej koncentracji domieszek
oraz bogato domieszkowane obszary typu n źródła i drenu. Źródło i
dren nie są połączone kanałem. Powierzchnia podłoża jest pokryta
izolacyjną warstwą tlenku krzemu, na której jest umieszczona warstwa
aluminium tworząca elektrodę bramki. Warstwa izolacyjna oraz
elektroda zachodzą na obszar źródła i drenu. Jeśli do bramki
przyłożymy napięcie dodatnie względem podłoża, to na powierzchni
krzemu pod warstwą tlenku zaindukuje się ładunek ujemny.
Wytworzone pole elektryczne odepchnie dziury od powierzchni.
Dostatecznie silne pole usunie z obszaru przypowierzchniowego
wszystkie nośniki większościowe – dziury, przyciągając nośniki
mniejszościowe – elektrony. Przy powierzchni znajdzie się więcej
elektronów niż dziur. Nastąpi zmiana typu przewodnictwa z p na n i
dwa obszary typu n (źródło i dren) zostaną połączone wąskim kanałem.
Jeśli dren spolaryzujemy napięciem U

DS

dodatnim względem źródła, to

nastąpi przepływ elektronów kanałem od źródła do drenu. W praktyce
podłoże i źródło są zwarte i napięcie U

GS

indukujące kanał jest

przykładane między bramkę i źródło. Gdy napięcie dren-źródło U

DS

jest

dodatnie i porównywalne z napięciem bramka-źródło U

GS

, pole

elektryczne zmienia się wzdłuż indukowanego kanału. Pole jest
najsilniejsze przy źródle, gdzie na warstwie tlenku krzemu występuje
napięcie U

GS

, najsłabsze zaś przy drenie, gdzie występuje napięcie U

GS

–

U

DS

. Charakterystyki prądu mają więc przebieg nieliniowy. Gdy oba

napięcia są równe, zanika przy drenie kanał indukowany. Prąd drenu I

D

ustala się i dalsze zwiększanie U

DS

nie wpływa na jego wartość.

Zmieniając wartości napięcia bramki U

GS

steruje się prądem drenu I

D

.

Przy dostatecznie dużych napięciach bramki o kierunku przepustowym
(duże napięcie dodatnie w przypadku podłoża typu p) będzie płynął
prąd maksymalny. Przy małych napięciach bramki popłynie mały prąd.
Napięcie bramki, przy którym zaczyna się indukować kanał nosi nazwę
napięcia załączania. W przypadku tranzystora o podłożu typu n
największy prąd popłynie po przyłożeniu do bramki dużego ujemnego
napięcia.

Tranzystor polowy z izolowaną bramką „normalnie załączony"

zawiera kanał wykonany z materiału o takim samym typie
przewodnictwa, co źródło i dren. Różni się on od tranzystora polowego
złączowego tym, że bramka jest odizolowana od podłoża warstwą
dielektryka – tlenkiem krzemu. Odpowiednia obróbka w procesie
produkcji powierzchni styku tlenek-półprzewodnik powoduje powstanie
na nim dodatniego ładunku powierzchniowego wytwarzającego pole
elektryczne. Napięcie bramki o kierunku przewodzenia zwiększa
natężenie pola elektrycznego, zmniejsza rezystancję źródło-dren, a więc
zwiększa prąd drenu I

D

. Napięcie bramki o kierunku zaporowym

zmniejsza natężenie pola, zmniejsza czynny przekrój kanału, a więc
zmniejsza prąd drenu I

D

. Całkowite odcięcie kanału uzyskuje się przy

średnich wartościach natężenia pola elektrycznego. Napięcie bramki o
kierunku zaporowym, przy którym następuje odcięcie kanału nosi
nazwę „napięcia wyłączania”.

Rys. 3. Polaryzacja tranzystora unipolarnego MOS ze wzbogaconym

kanałem typu p
w układzie WS

E

G

S

B

D

G

E

B

E

D

1.2. Układy pracy tranzystora MOS

Tranzystory polowe MOS mogą występować w trzech konfiguracjach układowych :

 wspólnego źródła WS,
 wspólnego bramki WG,
 wspólnej drenu WD.

Rys. 4. Układy pracy tranzystora MOS ze wzbogacanym kanałem typu

p a) ze wspólnym źródłem (WS), b) ze wspólną bramką (WG), c)
ze wspólnym drenem (WD).

a

)

U

wy

U

we

WS

b

)

W

G

W

D

c)

S

B

D

G

U

wy

U

we

D

B

S

G

U

wy

U

we

S

B

D

G

1.3. Charakterystyki tranzystora polowego MOS

Właściwości statyczne tranzystora unipolarnego opisują rodziny

charakterystyk przejściowych i wyjściowych.

Charakterystyki przejściowe (bramkowe) przedstawiają zależność

prądu I

D

od napięcia bramka-źródło U

GS

, przy stałym U

DS

.

Charakterystyczne wielkości krzywych:

 U

P

– napięcie odcięcia bramka-źródło – napięcie jakie należy

doprowadzić do bramki , aby przy ustalonym napięciu U

DS

nie

płynął prąd drenu.

 I

DSS

– prąd nasycenia – prąd drenu płynący przy napięciu U

GS

=0 i

określonym napięciu U

DS

.





const

U

GS

D

DS

U

f

I





Rys. 5. Charakterystyki tranzystora polowego MOS ze wzbogacanym

kanałem typu p

-

1

-

2

-

3

-

4

-

5

-

6

-

7

-

8

-12 -10

-8

-6

-4

-2

-

9

U

DS

[V]

U

GS

[V]

1

2

3

4

5

6

7

8

9

1
0

I

D

[mA

]

U

DS

=

-5V

U

DS

=

-1V

P

P

1

Ch-a przejściowa

Charakterystyka wyjściowa

ΔI

D1

ΔI

D2

P

2

P

P

3

P

4

U

GS

=

-8V

U

GS

= -7V

ΔU

DS

ΔU

GS

U

T

U

GS

= -11V

U

GS

=

-10V

U

GS

=

-9V

Charakterystyki wyjściowe (drenowe) przedstawiają zależność

między prądem drenu I

D

i napięciem dren-źródło U

DS

, przy stałym U

GS

.

Wyróżnia się cztery zasadnicze zakresy charakterystyk tranzystora

unipolarnego złączowego:

 Zakres liniowy. Prąd I

D

ze wzrostem napięcia U

DS

wzrasta w

przybliżeniu liniowo





const

U

DS

D

GS

U

f

I





gdzie:

ß –

współczynnik transkonduktancji – parametr

zależny od właściwości struktury tranzystora,
U

T

–

napięcie progowe.

































2

2

DS

DS

T

GS

D

U

U

U

U

I

 Zakres nasycenia





2

2

T

GS

D

U

U

I









a

)

U

GS

[V]

1

2

3

-

1

-

2

-

3

0

2

4

6

I

D

[mA

]

U

DS

= 20V

8

U

T

=-

3V

Rys. 7. Charakterystyki tranzystora polowego MOS ze zubożanym

kanałem typu n
a) charakterystyka przejściowa, b) charakterystyka wyjściowa

Rys. 6. Charakterystyki tranzystora polowego MOS ze zubożanym

kanałem typu p
a) charakterystyka przejściowa, b) charakterystyka wyjściowa

a)

I

D

[mA]

U

GS

[V]

1

2

3

-
1

-
2

-
3

0

2

4

6

U

DS

=-20V

8

U

T

=3

V

U

GS

[V]

-15 -10

-

5

-25

-30

-20

0

2

4

6

I

D

[mA]

8

U

GS

= 1V

U

GS

= 0V

U

GS

=

-1V

U

GS

=

-2V

b)

U

GS

[V]

2
0

2
5

3
0

1
0

5

1
5

I

D

0

2

4

6

I

D

[mA]

8

U

GS

=-1V

U

GS

= 0V

U

GS

= 1V

U

GS

= 2V

b)

U

GS

[V]

2
0

2
5

3
0

1
0

5

1
5

0

2

4

6

I

D

[mA]

8

U

GS

= 8V

U

GS

=

10V

U

GS

=

12V

U

GS

=

14V

Rys. 9. Charakterystyki tranzystora polowego MOS ze wzbogacanym

kanałem typu n
a) charakterystyka przejściowa, b) charakterystyka wyjściowa

Rys. 8. Charakterystyki tranzystora polowego MOS ze wzbogacanym

kanałem typu p
a) charakterystyka przejściowa, b) charakterystyka wyjściowa

U

GS

[V]

-

6

-

4

-

2

-10

-12

-14

0

2

4

6

I

D

[mA]

U

DS

=

-20V

8

U

T

=

-4V

-

8

a)

U

GS

[V]

-15 -10

-

5

-25

-30

-20

0

2

4

6

I

D

[mA]

8

U

GS

= -8V

U

GS

=

-10V

U

GS

=

-12V

U

GS

=

-14V

b)

a

)

I

D

[mA]

U

GS

[V]

8

1
0

1
2

4

0

2

4

6

U

DS

=

20V

8

U

T

=

4V

2

6

1
4

b)

1.4. Parametry tranzystora unipolarnego

Dla tranzystora unipolarnego określa się parametry statyczne dla

dużych wartości sygnałów oraz parametry dynamiczne dla małych
wartości sygnałów.

Parametry statyczne – to przede wszystkim parametry graniczne:

 I

Dmax

– dopuszczalny prąd drenu (od kilku do kilkudziesięciu mA)

 U

DSmax

–

dopuszczalne napięcie dren-źródło (od kilkunastu

do kilkudziesięciu V)

 P

max

– dopuszczalne straty mocy (od kilkudziesięciu do kilkuset

mW)

Parametry dynamiczne – to parametry małosygnałowe:

 g

m

– kondunktancja wzajemna (transkonduktancja) w punkcie

P(U

GS

,I

D

)

(zgodnie z oznaczeniami z rys 5. P

1

(U

GS1

,I

D1

), P

2

(U

GS2

,I

D2

)).

Punkty P

1

i P

2

powinny być położone symetrycznie

względem punktu P.

W interpretacji graficznej jest to tangens kąta nachylenia

stycznej do

charakterystyki przejściowej w

określonym punkcie P.

const

U

U

I

U

U

I

I

DS

GS

1

D

1

GS

2

GS

1

D

2

D















m

g

 g

d

– kondunktancja drenu (kondunktancja wyjściowa) w punkcie

P(U

DS

,I

D

)

(zgodnie z oznaczeniami z rys 5. P

3

(U

GS3

,I

D3

), P

4

(U

GS4

,I

D4

)).

Punkty P

3

i P

4

powinny być położone symetrycznie

względem punktu P. W interpretacji
graficznej jest to tangens kąta nachylenia stycznej do
charakterystyki

wyjściowej w określonym

punkcie P.

const

U

U

I

U

U

I

I

r

1

g

GS

DS

2

D

3

DS

4

DS

3

D

4

D

d

d

















 r

d

– rezystancja drenu (rezystancja wyjściowa) (w zakresie

liniowym – przyjmuje

niewielkie wartości, w zakresie

nasycenia – od kilkudziesięciu do kilkuset k).

const

U

I

U

I

I

U

U

g

1

r

GS

2

D

DS

3

D

4

D

3

DS

4

DS

d

d

















 k

u

– współczynnik wzmocnienia napięciowego.

const

I

ΔU

ΔU

k

D

GS

DS

U





Rys. 10.

Wyznaczanie współczynnika wzmocnienia napięciowego

k

U

z charakterystyk przejściowych tranzystora polowego

złączowego z kanałem typu n.

-12 -10 -8

-6

-4 -2

U

GS

[V]

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

I

D

[mA]

U

DS2

=-

7V

U

DS1

=-

3V

P

1

I

D1

=const

P

2

ΔU

GS

U

T

0

Wartość współczynnika wzmocnienia napięciowego można wyznaczyć

graficznie z charakterystyk statycznych tranzystora (rys. 10 –
charakterystyki przejściowe, rys. 11 – charakterystyki wyjściowe) lub
analitycznie, posługując się wzorem

U

m

d

k

g r

@

�

W przypadku charakterystyk przejściowych należy wykreślić linię

stałego prądu drenu I

D1

, która przecina dwie gałęzie charakterystyki w

punktach P

1

i P

2

. Po zrzutowaniu współrzędnych tych punktów na oś

napięcia U

GS

otrzymuje się bezpośrednio przyrost napięcia



U

GS

,

natomiast przyrost napięcia



U

DS

oblicza się jako różnicę dwóch

wartości stałych, przy których wyznaczano odpowiednie gałęzie
charakterystyk. Tak więc zgodnie z oznaczeniami na rys. 10,
współczynnik wzmocnienia napięciowego oblicza się jako:

const

I

ΔU

U

U

k

1

D

GS

1

DS

2

DS

U







I

D2

=const

-

1

-

2

-

3

-

4

-

5

-

6

-

7

-

8

-

9

U

DS

[V]

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

I

D

[mA]

P

1

P

2

U

GS2

=-

8,8V

U

GS

=-

7V

ΔU

D

S

U

GS

=-

12V

U

GS

=-

11V

U

GS

=-

10V

0

U

GS1

=-

9,2V

Rys. 11.

Wyznaczanie współczynnika wzmocnienia napięciowego

k

U

z charakterystyk wyjściowych tranzystora polowego

złączowego z kanałem typu n

W przypadku charakterystyk wyjściowych należy wykreślić linię

stałego prądu drenu I

D2

, która przecina dwie gałęzie charakterystyki w

punktach P

1

i P

2

. Po zrzutowaniu współrzędnych tych punktów na oś

napięcia U

DS

otrzymuje się bezpośrednio przyrost napięcia



U

DS

,

natomiast przyrost napięcia



U

GS

oblicza się jako różnicę dwóch

wartości stałych, przy których wyznaczano odpowiednie gałęzie
charakterystyk. Tak więc zgodnie z oznaczeniami na rys. 11,
współczynnik wzmocnienia napięciowego oblicza się jako:

Należy zwrócić uwagę, że wyznaczone powyższymi trzema sposobami

wartości współczynnika wzmocnienia napięciowego tranzystora mogą
się różnić ze względu na niejednakowe punkty pracy, w których zostały
obliczone.

const

I

U

U

U

k

2

D

1

GS

2

GS

DS

U









2.Przebieg ćwiczenia

2.2. Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora

polowego MOS ze wzbogacanym z kanałem typu p

2.1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania i własności

tranzystora polowego MOS ze wzbogacanym kanałem typu p poprzez
wyznaczenie jego charakterystyk statycznych i parametrów układzie
wspólnego źródła WS. Będą wyznaczane rodziny charakterystyk
wyjściowych oraz przejściowych. Parametry będą wyznaczone w
określonym punkcie P

Charakterystyki

będą

wyznaczane

na

podstawie

pomiarów

multimetrami:

 napięć wejściowych układu – U

GS

,

 napięć wyjściowych układu – U

DS

,

 prądów wyjściowych – I

D

.

Schematy pomiarowe

Rys. 12.

Układ do pomiaru statycznych charakterystyk

tranzystora polowego MOS
ze wzbogacanym kanałem typu p

R

G

R

D

mA

I

D

V

GS

U

GS

V

DS

U

DS

T

S

B

D

G

E

G

E

D

E

B

Sposób przeprowadzenia pomiarów

 Połączyć układ pomiarowy przedstawiony na rys.12. (R

G

= 560k, R

D

= 1k,

T - tranzystor polowy MOS ze wzbogacanym z kanałem typu p SMY 50.

 Określić napięcie progowe tranzystora U

T

. Ustawić zasilaczem E

D

napięcie U

DS

na wartość około -2V. Zwiększając (co do bezwzględnej wartości) zasilaczem
E

G

napięcie U

GS

obserwujemy, kiedy zaczyna płynąć prądu drenu I

D

.

Odczytujemy napięcie U

T

=

U

GS

, jeżeli wartość prądu drenu będzie bliska zeru

np. I

D

= 0,05 mA.

 Wypełnić w Tabeli 1 kolumnę napięcia U

GS

od wartości U

T

do napięcia -12V

.

 Wykonać pomiary charakterystyki przejściowej dla kilku (określa prowadzący)

stałych wartości napięcia U

DS

. U

B

=0V. Pomiar polega na ustawieniu

regulowanym zasilaczem E

G

napięcia U

GS

(woltomierz V

GS

), ustawieniu

regulowanym zasilaczem E

D

określonej stałej wartości napięcia U

DS

(woltomierzem V

DS

), i odczycie prądu drenu I

D

(miliamperomierz mA). Ustawić

kolejną wartość napięcia U

DS

i odczytać prąd I

D

Wyniki notujemy w tabeli 1.,

którą wypełniamy wierszami.

 Wykonać pomiary charakterystyki wyjściowej dla stałych wartości napięcia

U

GS

.: U

GS1

=U

T

- 1V, U

GS2

=U

T

- 2V U

GS3

=U

T

- 3V, U

GS4

=U

T

- 4V Pomiary

wykonujemy analogicznie jak dla charakterystyki przejściowej. Wyniki
notujemy w tabeli 2., którą wypełniamy kolumnami.

Tabela 1.

Pomiar charakterystyki przejściowej I

D

=f(U

GS

)|

U

DS

=const.

Lp

U

GS

[V]

U

B

=0V U

DS1

=

U

B

=0V U

DS2

=

U

B

=0V U

DS3

=

U

B

=0V U

DS4

=

U

B

=5V U

DS2

=

I

D

[mA]

I

D

[mA]

I

D

[mA]

I

D

[mA]

I

D

[mA]

1.

U

T

2.

3.

-6,0

4.

-6,5

5.

-7,0

6.

-7,5

7.

-8,0

8.

-8,5

9.

-9,0

10.

-9,5

11

-10,0

12.

-10,5

13.

-11,0

14.

-11,5

15.

-12,0

Tabela 2.

Pomiar charakterystyki wyjściowej I

D

=f(U

DS

)|U

GS

=const.

Lp

U

DS

[V]

U

B

=0V U

GS1

=

U

B

=0V U

GS2

=

U

B

=0V U

GS3

=

U

B

=0V U

GS4

=

U

B

=5V U

GS2

=

I

D

[mA]

I

D

[mA]

I

D

[mA]

I

D

[mA]

I

D

[mA]

1.

0

2.

-0,2

3.

-0,4

4.

-0,6

5.

-0,8

6.

-1,0

7.

-2,0

8.

-3,0

9.

-4,0

10.

-5,0

11

-6,0

12.

-7,0

13.

-8,0

14.

-9,0

15.

-10,0

2.3. Opracowanie wyników pomiaru

W sprawozdaniu należy zamieścić:

 Schematy układów pomiarowych realizowanych na ćwiczeniu.
 Tabele pomiarowe z wynikami.
 Charakterystyki tranzystora polowego MOS ze wzbogacanym kanałem

typu p sporządzone na podstawie przeprowadzonych pomiarów.

 Wyznaczenie parametrów r

d

, g

m

, k

u

dla określonego punktu pracy P(U

GS3

,

U

DS3

).

W tabelach pomiarowych należy zaznaczyć (np. innym kolorem, pogrubić)
pomiary (punkty P

1

, P

2

, P

3

, P

4

), które posłużyły do wyznaczenia

parametrów. Na wykreślonych charakterystykach statycznych tranzystora
zaznaczyć punkty P oraz punkty pomocnicze P

1

, P

2

, P

3

, P

4

.

 Wnioski.

Symulacje charakterystyk tranzystora

polowego MOS

z wzbogacanym kanałem typu p (SMY

50)

Rys. 13.

Schemat symulacji charakterystyk tranzystora MOS

SMY 50

M1

SMY50

Vd

Vg

0

Vb

0V

I

Rys. 14.

Rodzina ch-k wyjściowych tranzystora MOS z kanałem

typu p SMY 50 U

b

=0V

Rys. 15.

Rodzina ch-k przejściowych tranzystora MOS SMY 50

U

b

=0V

Rys. 16.

Rodzina ch-k wyjściowych tranzystora MOS z kanałem

typu p SMY 50 U

b

=5V

Rys. 17.

Rodzina ch-k przejściowych tranzystora MOS SMY 50

U

b

=5V

Rys. 18.

Rodzina ch-k przejściowych tranzystora MOS SMY 50

U

DS

=-1V

Projekt współfinansowany przez Uni

Projekt współfinansowany przez Uni

ę

ę

Europejsk

Europejsk

ą

ą

w ramach Europejskiego Funduszu

w ramach Europejskiego Funduszu

Społecznego

Społecznego

Część II

Część II

:

:

„Badania laboratoryjne

„Badania laboratoryjne

elementów i układów elektronicznych

elementów i układów elektronicznych

”,

”,

zrealizowana w ramach zadania nr 9 projektu:

zrealizowana w ramach zadania nr 9 projektu:

„

„

Program Rozwojowy Potencjału Dydaktycznego Politechniki Świętokrzyskiej w Kielcach: kształcenie na miarę

Program Rozwojowy Potencjału Dydaktycznego Politechniki Świętokrzyskiej w Kielcach: kształcenie na miarę

sukcesu.”,

sukcesu.”,

nr umowy: UDA-POKL 04.01.01. – 175/08-00.

nr umowy: UDA-POKL 04.01.01. – 175/08-00.

Materiały dydaktyczne pomocnicze i informacyjne do przedmiotu

Materiały dydaktyczne pomocnicze i informacyjne do przedmiotu

PODSTAWY ELEKTRONIKI

PODSTAWY ELEKTRONIKI

DZIĘKUJĘ ZA UWAGĘ!

DZIĘKUJĘ ZA UWAGĘ!

Następna prezentacja pt.:

Następna prezentacja pt.:

Ćwiczenie 7:

Ćwiczenie 7:

Tranzystorowy wzmacniacz małej częstotliwości

Tranzystorowy wzmacniacz małej częstotliwości