Materiały elektroniczne 2014-01-17

1. Ze względu na przewodnictwo materiały elektroniczne dzielimy na:

1. Metale

2. Materiały optyczne

3. Półprzewodniki

1. W metodzie MOVPE jako źródła reagentów stosuje się:

1. Gazy

2. Związki metaloorganiczne

3. ….

1. Do grupy półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną należą:

1. GaN

2. SiC

3. GaAs

1. Który z wymienionych dielektrykow ma najmniejszą przenikalnośc elektryczną:

1. Si3N4

2. Porowaty Si

3. Al2O3

1. Do wytwarzania dielektrykow stosujemy:

1. PECVD

2. AFM

3. Utlenianie termiczne

1. Warstwy diamentowe wytwarza się

1. Techniką gorącego włokna

2. W plazmowych reaktorach mikrofalowych

c) Palniki plazmowe (chyba)

7. Warstwy Si3N4stosuje się jako:

a) pokrycia narzędziowe

b) warstwy pasywujące przyrządów elektronicznych

c) przewodzenie w układach scalonych

8. Jako domieszkę donorową do krzemu stosuje się:

a) fosfor

b) bor

c) glin

9. Węglik krzemu jest stosowany

a) do wytwarzania tranzystorów mocy

b) jako podłoze technologii GaN

c) coś z lampami ultrafioletowymi

10. Do wytwarzania grubych warstw metalicznych zastosuję metodę:

a) osadzania elektrolitycznego

b) ALF

c) ….

11. Metoda PVD wytwarzania ścieżek metalicznych

a) bazuje na procesie parowania

b) umozliwia nanoszenie…( jakiś dwóch metali telluru i wanadu czy jakos tak nie pamiętam)

c)nanoszenie łatwo topliwych metali

12. w technologiach cienkowarstwowych ogniw PVstosuje się:

a) tanie podłoza przewodzące

b) tanie podłoza nieprzewodzące (chyba tak było)

c) mikrokrystaliczne (chyba) podłoza Si

13. Jako pokrycia antyrefleksyjne do ogniw fotowoltaicznych stosuje się:

a) cienkie warstwy miedzi

b) a-Si:C:H

c) SiO2 albo TiO2 ( w każdym razie i tak oba się stosuje wiec bez roznicy co to dokładnie było)

14. W technice T-NIL stosuje się:

a) rezysty termoplastyczne

b) rezysty fotoczułe

c) rezysty…..

15. Materiały FMG stosuje się w:

a) inżynierii napręzen

b) do integracji róznnych układów materuiałpowych

c) inżynierii przerwy wzbronionej