Rodzaje zanieczyszczen;
- pojedyncze molekuly ( gazowe, pary oleju, alkohol, farby, kleje, substancje aromatyczne)
-powierzchniowe ( odciski palcow, pot, kremy, puder, srodki czyszczace, oleje smary, sperma, wosk)
-pylowe (ludze, skora wolosy oddech wlokna odzieży) papier
CLEAN ROOM>> przeplyw powietrza Turbulentny- z zawirowaniami, Linearny>> z gory na dol prosty i twardy. (Nadcisnienie, sluza wejsciowa, filtracja, ubior) Biala>> super czysta maala Szara- wokół clean roomu.
POLPRZEWODNIKI IV-german,krzem,wegiel, związki IV, III i Vweglik krzemu, krzemo german,arsenek galu, fosforek galu, siarczek kadmu osforek indu.
CIECIA>>> Glowne- wskazuja kierunek krystgraficzny, pomocnicze- określają płaszczyznę kryptograficzna oraz typ.
PODLOZE KRZEMOWE>> typ przewodnictwa n,p,;rezystywność,koncentracja atomow zanieczyszczen, koncentracja atomow wegla i tlenu.
CELE TRAWIENIA: oczyszczenie powierzchni, przygotowanie do kolejnych procesow, usuwanie nałożonych warstw, wytwarzanie roznych struktur
TRAWIENIE SELEKTYWNE – zdolność do wybiorczego trawienia jednego rodzaju materialu bez wpylwu na inne materialy.
Trawienie izotropowe we wszystkich kierunkach,Aizotropowe w jednym kierunku przebiega szybciej.
Trawienie mokre>>izotropowość, Malo czyste, nie zrobisz malych struktur, SUCHE>>aizotropowe, dokładniejsze Malo odczynnikow drogie w chuj, dobra kontrola.
FOTOLITOGRAFIA>> proces umożliwiający selektywne trawienie warstw i daje por zadane kształty. Wykorzystuje>> pozytywny i negatywny fotorezyst, maski fotolitograficzne, urzadzenei do naświetlania FOTOREZYST>> material którego właściwości zmieniaja się pod wpływem promieniowania UV.
Wymiar Krytyczny>> wielkość najmniejszej struktury możliwej do odtworzenia. LAY-OUT>> zawiera informacje o strukturze wszystkich warstw.
Wysoka TEMPERATURA>> epitaksja krzemu, domieszkowanie metoda dyfuzji domieszek, implantacji jonowej, utlenianie termiczne, nakładanie warstw metodami osadzania chemicznego CVD, wtapianie glinu w celu wykonania kontaktów ozonowych.
Domieszkowanie podloza krzemowego umozliwia; zamiana typu przewodnictwa, zmiane koncentracji atomow domieszek.
DOMIESZKI AKCEPTOROWE pIII >> Bor, aluminium,Gal. DONOROWE n V>>>fosfor, arsen, antymon. DYFUZJA>> przeplyw energii lub materii z obszaru o wyższej koncentracji do obszaru o mniejszej koncentracji.
INTERPOLACJA JONOWA- polega na przyspieszeniu jonow domieszki i wbijanie ich w domieszkowanie podloze.
PIEC DYFUZYJNY umozliwia domieszkowanie i utlenianie
CVD>>< Chemical Vapour Deposition- obrabianie cieplno chemiczne.
PVD- physical Vapour Deposition naparowanie fizyczne, osadzanie próżniowe.
METODY OSADZANIA tlenku krzemu; utlenianie termiczne , osadzanie próżniowe z fazy lotnej CVD, nanoszenie emulsji organicznej z SiO2-.
Etapy procesu PVD ; odparowanie materiału ,transport par materialow w obszar niysyego cisnienia, kondensacja par na powierzchni podloza.
PAROWANIE ozonowe??- material parowany topiony jest w lodkach wolframowych nagrzewanych wysokim napieciem.
DZIALO ELEKTRONOWE- stopienie materialu zapewnia skoncentrowana wiazka elektryczna. ROZPYLANIE JONOWE – materil bedacy zrudlem atmow jest bombardowany jonami argonu wytwarzane z jego powierzchni atomy sa kierowane w strone podloza.
ZASTOSOWANIE CVD; warstwy dielektryczne( tlenek krzemu SiO2 azotek krzemu Si3N4), niektóre metale trudnotopliwe, wolfram miedz, -półprzewodnik. EPITAKSJA proces trawienia pojedynczych warst monokryształów na monokrystalicznym podlozu.
DOLACZANIE struktur polprzeowdnikowych do podloza; lutowanie elektryczne, lutowanie lutem twardym, klejenie struktur polimerami nieorganicznymi.
TECHNIKI; montaz drutowy,Flip Chip, TAB, lutem miękkim, kleje przewodzące.Polaczenia drutowe
TECHNIKI; zgrzewanie termo kompresyjne,ultradźwiękowe, ultratermokompresyjne, mikroszczelinowe.