Inzyniera Wytwarzania w opracowanie w doc i sciaga

Rodzaje zanieczyszczen;
- pojedyncze molekuly ( gazowe, pary oleju, alkohol, farby, kleje, substancje aromatyczne)
-powierzchniowe ( odciski palcow, pot, kremy, puder, srodki czyszczace, oleje smary, sperma, wosk)

-pylowe (ludze, skora wolosy oddech wlokna odzieży) papier

CLEAN ROOM>> przeplyw powietrza Turbulentny- z zawirowaniami, Linearny>> z gory na dol prosty i twardy. (Nadcisnienie, sluza wejsciowa, filtracja, ubior) Biala>> super czysta maala Szara- wokół clean roomu.

POLPRZEWODNIKI IV-german,krzem,wegiel, związki IV, III i Vweglik krzemu, krzemo german,arsenek galu, fosforek galu, siarczek kadmu osforek indu.

CIECIA>>> Glowne- wskazuja kierunek krystgraficzny, pomocnicze- określają płaszczyznę kryptograficzna oraz typ.

PODLOZE KRZEMOWE>> typ przewodnictwa n,p,;rezystywność,koncentracja atomow zanieczyszczen, koncentracja atomow wegla i tlenu.

CELE TRAWIENIA: oczyszczenie powierzchni, przygotowanie do kolejnych procesow, usuwanie nałożonych warstw, wytwarzanie roznych struktur
TRAWIENIE SELEKTYWNE – zdolność do wybiorczego trawienia jednego rodzaju materialu bez wpylwu na inne materialy.

Trawienie izotropowe we wszystkich kierunkach,Aizotropowe w jednym kierunku przebiega szybciej.

Trawienie mokre>>izotropowość, Malo czyste, nie zrobisz malych struktur, SUCHE>>aizotropowe, dokładniejsze Malo odczynnikow drogie w chuj, dobra kontrola.

FOTOLITOGRAFIA>> proces umożliwiający selektywne trawienie warstw i daje por zadane kształty. Wykorzystuje>> pozytywny i negatywny fotorezyst, maski fotolitograficzne, urzadzenei do naświetlania FOTOREZYST>> material którego właściwości zmieniaja się pod wpływem promieniowania UV.
Wymiar Krytyczny>> wielkość najmniejszej struktury możliwej do odtworzenia. LAY-OUT>> zawiera informacje o strukturze wszystkich warstw.
Wysoka TEMPERATURA>> epitaksja krzemu, domieszkowanie metoda dyfuzji domieszek, implantacji jonowej, utlenianie termiczne, nakładanie warstw metodami osadzania chemicznego CVD, wtapianie glinu w celu wykonania kontaktów ozonowych.

Domieszkowanie podloza krzemowego umozliwia; zamiana typu przewodnictwa, zmiane koncentracji atomow domieszek.

DOMIESZKI AKCEPTOROWE pIII >> Bor, aluminium,Gal. DONOROWE n V>>>fosfor, arsen, antymon. DYFUZJA>> przeplyw energii lub materii z obszaru o wyższej koncentracji do obszaru o mniejszej koncentracji.

INTERPOLACJA JONOWA- polega na przyspieszeniu jonow domieszki i wbijanie ich w domieszkowanie podloze.

PIEC DYFUZYJNY umozliwia domieszkowanie i utlenianie

CVD>>< Chemical Vapour Deposition- obrabianie cieplno chemiczne.

PVD- physical Vapour Deposition naparowanie fizyczne, osadzanie próżniowe.

METODY OSADZANIA tlenku krzemu; utlenianie termiczne , osadzanie próżniowe z fazy lotnej CVD, nanoszenie emulsji organicznej z SiO2-.

Etapy procesu PVD ; odparowanie materiału ,transport par materialow w obszar niysyego cisnienia, kondensacja par na powierzchni podloza.

PAROWANIE ozonowe??- material parowany topiony jest w lodkach wolframowych nagrzewanych wysokim napieciem.

DZIALO ELEKTRONOWE- stopienie materialu zapewnia skoncentrowana wiazka elektryczna. ROZPYLANIE JONOWE – materil bedacy zrudlem atmow jest bombardowany jonami argonu wytwarzane z jego powierzchni atomy sa kierowane w strone podloza.

ZASTOSOWANIE CVD; warstwy dielektryczne( tlenek krzemu SiO2 azotek krzemu Si3N4), niektóre metale trudnotopliwe, wolfram miedz, -półprzewodnik. EPITAKSJA proces trawienia pojedynczych warst monokryształów na monokrystalicznym podlozu.

DOLACZANIE struktur polprzeowdnikowych do podloza; lutowanie elektryczne, lutowanie lutem twardym, klejenie struktur polimerami nieorganicznymi.

TECHNIKI; montaz drutowy,Flip Chip, TAB, lutem miękkim, kleje przewodzące.Polaczenia drutowe

TECHNIKI; zgrzewanie termo kompresyjne,ultradźwiękowe, ultratermokompresyjne, mikroszczelinowe.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
opracowane zagadnienia ściąga nowa
białucki,technologia materialów inżynierskich,WYTWARZANIE STALI
inzynieria wytwarzania sprawozdanie 2
Inżynieria wytwarzania metody łączenia
Inzynieria wytwarzania
opracowane pytania-sciaga, 2
inżynieria powierzchni opracowanie
Projektowanie - Opracowane Pytania sciaga, SGGW - Technologia żywnosci, VI SEEMSTR, Semestr VI, proj
Inzynieria wytwarzania wyklady 2
2 Czynniki warunkujące rozwój inżynierii wytwarzania metali
techniki wytwarzania, Studia, Odlewnictwo spawalnictwo inżynieria wytwarzania
Materiały Budowlane- opracowane zestawy 3 ściaga (końcowa)1, Materiały Budowlane
Inżynieria wytwarzania
Inżynieria wytwarzania egzamin2
INZYNIERIA WYTWARZANIA.Przerobka Plastyczna.2013 email nr 2, Materiały polibuda, semestr V, Przeróbk
Materiały Budowlane- opracowane zestawy 3 ściaga (boczna koń, Materiały Budowlane

więcej podobnych podstron