P. półprzewodnik samoistny to taki, który jest idealnie czysty (nie posiada Zan. I dom.) oraz jego s.krys. nie posiada żadnych defektów.

F. Koncentracja nośników swob. w krzemie sam. W tem. Pokojowej wynosi około ni=10cm^-3.

P. poziom Fermiego, to poziom ener., dla którego praw. Obsadzenia.. elektron wynosi 0,5.

F. rozczepienie poz. Fermiego w złączu p-n jest miarą nap. Polaryzacji.

P. Generacja i rek. Pośrednia Zach. Przy udziale dodatkowych dozwolonych poz. Ener.

F. centra gen-rek mogą być zarówno donorami, jak i akceptorami.

F. na pow. Półkrzew. Stany pow. Działają jak centra SRH i mogą zwiększać czas życia noś. Przy powierzchni.

F. dodatkowe dozwolone poz. Ener. Ulokowane w pob. Środka pasma zab. Zwiększają czas życia nośników.

P. prąd unoszenia w półprzewodniku zależy od gradientu Kon. Domieszek.

N. dyfuzja nośników w półp. Zależy od przył pola Elek.

P. przy polaryzacji złącza p-n w kier. Zaporowym płynie niewielki prąd nośników mniejszościowych.

F. przy Pol. Złącza p-n w kier. Przewodzenia płynie prąd nośników większościowych zaleznych silnie od przył. Nap.

F. przy polaryzacji złącza p-n w kier. Zaporowym płynie głównie prąd unoszenia.

P. przy polaryzacji złącza p-n w kier. przewodzenia płynie głównie prąd dyfuzyjny.

F. aby tranzystor bipolarny pracował w stanie aktywnym, to złącza tranzystora muszą być spolaryzowane w kier. Przewodzenia.

F. aby tran. Prac. W stanie inwersyjnym, to złącze baza-emiter musi być spol. W kier. Przew., a złącze baza-kolektor w kier. Zap.

F. aby tranz. Pracował w stanie nasycenia, to złącza tran. Muszą być spol. W kier zap.

F.aby tra. Pracował w stanie odcięcia, o złącze baza-emiter musi być spol. W kier. Zap., a złącze baza-kolektor w kier. Przew.

P.nośnikami większościowymi w tranz. Dipol. NPN są elektrony.

F.nośnikami mniejszościowymi w tranz. Dipol. PNP są elektrony.

P.elektrony w bazie tranz. NPN są nośnikami mniejszościowymi.

F. elektrony w bazie tranz. PNP są nośnikami większościowymi.

F. kanał indukowany w tranz. Polowym to taki, który został …. Technologicznym.

F. kanał zubożony w tranz. Polowym to taki, który powstaje…. Napięcia na bramce...

F. tranz. JFET mogą być tylko z kanałem wbudowanym.

P. tranz. MOS z kanałem typu n wytwarza się w podłożu typu p.

P.nośnikami ładunku w tranz. Polowym z kanałem typu p są dziury.

P. Miarą odporności wzmacniacza na zmiany napięć zasilających jest współczynnik o nazwie… PSRR.

P. stosunek wzmocnienia sygnału różnicowego i sygnału wspólnego wyznacza współczynnik… CMRR.

P.współczynnik przesunięcia fazowego filtrów określa kąt pomiędzy napieciem wejściowym a napieciem wyjściowym.

P.dobroć filtrów określa stosunek częstotliwości środkowej do szerokości jego pasma.