CVD(chemical vapour deposition), chemiczne nanoszenie powłok z fazy gazowej polega na tworzeniu warstw węglików i azotków metali, np. chromu, wanadu, tytanu, tantalu lub cyrkonu, ze składników atmosfery gazowej, na powierzchni obrabianego przedmiotu.

Proces zachodzi w szczelnym reaktorze, w wysokich temp. Wyższych niż w procesach PVD (ok. 900 - 1000˚C) i przy ciśnieniu rzędu 1 x 105 - 1,35 x 103 Pa.

Do komory doprowadza się pary gazu mającego stanowić podstawowy składnik wytworzonej warstwy za pomocą tzw. gazu nośnego obojętnego (np. argon lub hel) LUB gazu nośnego mogącego wziąć udział w procesach zachodzących na powierzchni przedmiotu (np. węglowodór, azot, wodór).

Przez wiele lat starano się udoskonalić CVD poprzez próby obniżenia ciśnienia potrzebnego do wykonania procesu i w ten sposób dzisiaj możemy wyróżnić kilka rodzajów.

Metody nie wspomagane:

APCVD (Atmospheric Pressure CVD) - metoda zachodząca przy ciśnieniu atmosferycznym

LPCVD (Low Pressure CVD) - metoda zachodząca przy obniżonym ciśnieniu

Metody wspomagane:

PACVD (Plasma Assisted CVD) - proces wytwarzania warstwy jest wspomagany poprzez wygenerowanie plazmy

LCVD (Laser CVD) - proces wytwarzania warstwy wspomagany wiązką laserową

MOCVD (metallorganic CVD) - prekursorami są związki metaloorganiczne takie jak alkile

(metylki i etylki metali grupy III) lub wodorki, które rozkładają się w temperaturze nie wyższej

od 800°C.

VPE (vapour phase epitaxy) - technika wzrostu epitaksjalnego, polega na osadzaniu

zorientowanej warstwy krystalicznej monokrystalicznej lub też polikrystalicznej albo amorficznej w

zależności od warunków procesu, a przede wszystkim temperatury, ciśnienia

cząsteczkowego reagentów w fazie gazowej, oraz dopasowania sieci krystalicznej podłoż i

narastającej warstwy.

Zalety CVD:

Wady CVD: