Ćwiczenie nr 12: -Podstawowe wzmacniacze tranzystorowe -
Data: 6-05-1998
Skład grupy: Andrzej Rusiecki , Tomasz Leończuk, Marek Prokopczyk, Adam Kozłowski

1. Pomiar wzmocnienia jednostopniowego wzmacniacza tranzystorowego w różnych układach włączenia tranzystora: WE, WB, WC.

Tabela porównawcza parametrów:

	WE		WB		WC
	Pomiar	Oblicz.	Pomiar	Oblicz.	Pomiar	Oblicz.
ku	100	132	48	132	1	1
Rwe	8,5k	2,6k	100	10	28k	258k
Rwy	5k	1,32k	2k	1,3k	100	25

(obliczenia w załączniku)

Otrzymane wyniki znacznie odbiegają do parametrów teoretycznie obliczonych, nie są to może odchyłki o parę rzędów wielkości, ale nie pozwalają one traktować wyników pomiarów wiarygodnie w sytuacji gdybyśmy chcieli bazując na nich zaprojektować wzmacniacz o zadanych ściśle parametrach.

Tak duża rozbieżność wyników może mieć swoje źródło w zarówno braku danych o tranzystorach użytych do pomiarów (miernik parametrów „h” tranzystora był uszkodzony w stopniu uniemożliwiającym jakiekolwiek pomiary), generator był inny niż w założeniach przez co niewiele wiadomo o jego rezystancji wyjściowej.

2. Pomiar wzmocnienia wzmacniacza dwustopniowego k_u = 95 (40 dB), jest to wartość zbliżona do typowej wartości wzmocnienia dwóch tranzystorów w połączeniach WE, teoretyczna wartość to około 40dB na stopień jednakże w układach praktycznych zmniejsza się ona do około 25dB na stopień z uwagi na obciążenie stopnia wejściowego wyjściowym o R_we w granicach kilku kiloomów.

3. Pomiar parametrów wzmacniacza różnicowego dał następujące rezultaty:

Układ z rezystorem emiterowym.		Układ ze źródłem prądowym.
kUR	96	kUR	80
kUS	1,33	kUS	0,533
CMRR	72	CMRR	150

Pomimo iż wzmacniacz ze źródłem prądowym wykazał się mniejszym współczynnikiem wzmocnienia różnicowego, to dzięki znacznie mniejszemu wzmocnieniu sumacyjnemu osiągnął ponad dwukrotnie wyższą wartość współczynnika CMRR (44dB co jest wartością zbliżoną do praktycznych rozwiązań na tranzystorach w podanej na schemacie załączonym do instrukcji ćwiczenia konfiguracji).

4. Próba obserwacji zależności temperaturowych nie powiodła się, ponieważ cały układ pomiarowy zachowywał się wyjątkowo niestabilnie, przez co trudno było zauważyć jakąś zależność między temperaturą tranzystora (różnica o jaką zmienialiśmy jego temperaturę wynosiła jedynie około 16°C) a wynikami pomiarów gdyż układ cały czas zmieniał swoje parametry wydawałoby się niezależnie od naszych poczynań.

---