Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych |
|||
Temat ćwiczenia:
Charakterystyka prądowo- napięciowa złącza p-n.
|
Wykonujący ćwiczenie:
|
||
Nr ćwiczenia:
2
|
Data wyk. ćwicz.
|
Ocena |
Wykonujący sprawozdanie:
|
Badanym elementem była dioda germanowa DZG-4 o prądzie maksymalnym IM=0.9A.
Diodę badaliśmy w trzech przedziałach prądu:
Układ pomiarowy I: I ≤ 0.5 IM
Układ pomiarowy II: 1 μA ≤ I ≤10 mA
Układ pomiarowy III: I ≤ 1 μA
Z otrzymanego wykresu liczymy:
Rezystancje szeregową:
Współczynnik doskonałości:
Przy czym U1=0.15V, U2=0.3V, I1=1mA, I2=20mA.
Wzór ten uzyskaliśmy wychodząc z wzoru Shokley'a i biorąc z liniowej części charakterystyki dwa punkty o współrzędnych odpowiednio: (U1 ,I1) (U2 ,I2). Dodatkowo we wzorze Shokley'a uproszczona została jedynka, której wpływ w porównaniu z drugim członem jest pomijalnie mały.
Po odpowiednich przekształceniach dochodzi się do w/w wzoru.
Prąd nasycenia:
Prąd nasycenia odczytany z wykresu: I's ≈ 50 [μA]
Wnioski.
Na początku chciałem zaznaczyć, iż wszelkie uzyskane wyniki są tylko przybliżone, ponieważ wartości były odczytywane z wykresu, który ma charakter czysto poglądowy.
Ponieważ przy polaryzacji w kierunku przewodzenia diody małymi napięciami płyną przez nią bardzo małe prądy, dlatego do pomiarów spadku napięcia używaliśmy woltomierza cyfrowego o bardzo dużej rezystancji wewnętrznej. Dzięki temu mogliśmy przyjąć, że cały prąd płynie tylko przez diodę.
Wyznaczona charakterystyka prądowo-napięciowa przedstawiona została na wykresie.
Ma ona kształt zbliżony do tego jakiego oczekiwaliśmy i jedynie niektóre punkty pomiarowe nieznacznie odbiegają od wykresu. Sądzę, że spowodowane to było niedoskonałością pomiaru (np. niedokładnością przyrządów). Jednakże nie ma to dużego wpływu na ostateczny kształt charakterystyki. W swym górnym przebiegu charakterystyka wyraźnie odchyla się, co jest spowodowane wpływem rezystancji szeregowej , natomiast w środku jest wyraźnie liniowa. Zakrzywienie na dole spowodowane jest wpływem jedynki we wzorze Shockley'a.
Ponieważ na wykresie logarytmiczna podziałka natężenia prądu rozpoczyna się od wartości 10[μA] więc niemożliwe było uwzględnienie na charakterystyce niektórych wyników pomiarów z układu III. Dlatego też po przeskalowaniu, na wykresie obok narysowaliśmy ciąg dalszy charakterystyki dla prądów mniejszych
niż 10[μA].
Obliczony przez nas zastępczy prąd nasycenia I's (prąd uwzględniający prądy nasycenia i rekombinacji) jest identyczny z wyznaczonym z wykresu.
Z obliczeń wynika, że współczynnik doskonałości dla tej diody wynosi 1,935. Jest to zgodne z założeniami teoretycznymi (n powinno zawierać się między 1 a 2).