POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE	LABORATORIUM ELEKTRONIKI
Nazwisko i Imię:	Ćwiczenie nr 1	Grupa:	Rok akademicki:
Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora	Data wykonania:		Ocena:

1. Cel ćwiczenia

Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE . Następnie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych .

2.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

UCb =2V			UCb=4V			UCb=6V			UCb=8V
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,48	0	0	0,49	0	0	0,48	0	0	0,47	0	0
0,54	0	1	0,54	1	2	0,54	1	2	0,53	2	2
0,56	4	4	0,56	3	4	0,56	3	4	0,56	4	4
0,57	6	6	0,57	6	6	0,57	5	6	0,57	5	6
0,58	8	9	0,58	9	8	0,58	8	8	0,58	8	8
0,59	10	10	0,59	11	10	0,60	10	10	0,6	9	10

IE =4mA			IE =6mA			IE =8mA			IE =10mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,5	3	0,56	0,5	6	0,56	0,5	8	0,56	0,5	9	0,56
1,5	3	0,56	1,5	6	0,56	1,5	8	0,55	1,5	10	0,55
2,5	3	0,56	2,5	6	0,55	2,5	7	0,56	2,5	10	0,56
3,5	4	0,56	3,5	5	0,56	3,5	8	0,56	3,5	10	0,56
4,5	3	0,56	4,5	6	0,56	4,5	8	0,56	4,5	10	0,55
5	3	0,56	5	6	0,55	5	8	0,55	5	10	0,56

Wyznaczanie przyrostowych parametrów mieszanych .

1. Impedancja wejściowa :

,

2. Współczynnik wzmocnienia prądowego :

,

3. Admitancja wyjściowa :

,
1 S

4. Oddziaływanie wsteczne :

,

3.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

Schemat tranzystora pracującego w układzie wspólnego emitera

UCE =1V			UCE =3V			UCE =5V			UCE =6V
UEB	Ib	IC	UEB	Ib	IC	UEB	Ib	IC	UEB	Ib	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,55	0,02	3	0,55	0,02	3	0,56	0,02	3	0,55	0,02	3
0,57	0,04	6	0,56	0,04	6	0,57	0,04	6	0,58	0,04	7
0,59	0,06	10	0,59	0,06	10	0,59	0,06	11	0,59	0,06	10
0,6	0,08	12	0,6	0,08	13	0,6	0,08	12	0,6	0,08	12
0,61	0,1	16	0,61	0,1	16	0,61	0,1	15	0,61	0,1	17
0,62	0,12	20	0,62	0,12	21	0,62	0,12	20	0,62	0,12	20
0,63	0,14	22	0,63	0,14	22	0,63	0,14	21	0,63	0,14	22

Ib=0,02[mA]			Ib=0,08[mA]			Ib=0,12[mA]			Ib=0,15[mA]
Uce	IC	Ube	Uce	IC	Ube	Uce	IC	Ube	Uce	IC	Ube
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
0,5	2	0,54	0,5	2	0,54	0,5	2	0,54	0,5	2,5	0,54
1	2	0,54	1	2	0,54	1	2	0,54	1	2,5	0,54
1,5	2	0,55	2,5	2	0,54	1,5	2	0,54	1,5	2,5	0,55
2	2	0,54	2	2	0,55	2	2	0,54	2	2,5	0,54
3	2	0,54	3	2	0,54	2,5	2	0,54	2,5	2,5	0,54
4	2	0,54	4	2	0,56	3	2	0,54	3	2,5	0,56
5	2	0,56	5	2	0,54	4	2	0,54	4	2,5	0,54
5,5	2	0,54	5,5	2	0,54	5,5	2	0,54	5,5	2,5	0,54
6	2	0,54	6	2	0,54	6	2	0,54	6	2,5	0,54

Wyznaczanie przyrostowych parametrów mieszanych dla układu WE:

1. Impedancja wejściowa:

,

2. Współczynnik wzmocnienia prądowego:

,

3. Admitancja wyjściowa:

,

4. Oddziaływanie wsteczne:

,

4. Wnioski

Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe parametry tranzystora pracującego w różnych układach pracy. Impedancja wejściowa jest to parametr h11 wyraźnie widać iż w układzie wspólnej bazy jest o wiele mniejsza niżeli w układzie wspólnego emitera. W układzie wspólnej bazy wzmocnienie prądowe powinno być mniejsze od jedności co na podstawie przeprowadzonych pomiarów zostało udowodnione. W obu wypadkach wzmocnienie napięciowe jest większe od jedności. Wspolczynnik wzmocnienia pradowego jest również inny w obu przypadkach. W układzie wspolnej bazy jest znacznie mniejszy niż w układzie wspolnego emitera. Na podstawie tych wniosków widać iż tranzystor w różnych klasach ma różne zastosowanie. Powyższe wnioski mogą nie zgadzać się z rzeczywistości ponieważ podczas pomiarów mogliśmy popełnić duży błąd pomiaru.

---