K2 Tematyka kolokwium nr 2, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Kolokwium II


ELCS Pytania kontrolne i zakres tematyczny na kolokwium nr.2, które odbędzie się 22 kwietnia (grupy 3M3 i 3M1) oraz 29 kwietnia (grupy 3M4 i 3M2) na ćwiczeniach laboratoryjnych (na początku zajęć, dwa pytania, 10 minut na odpowiedź) z zakresu wykładów numery 6 - 8 tj. od 30 marca do 20 kwietnia 2010.

Równania charakterystyczne: równanie Poissona, warunek obojętności elektrycznej w warunkach równowagowych oraz quasi-neutralność w warunkach nierównowagowych, równanie ciągłości.

Półprzewodnik niejednorodnie domieszkowany; zjawiska prowadzące do powstania wewnętrznego pola elektrycznego, układ pasm energetycznych (stałość poziomu Fermiego gdy J=0), rozkłady koncentracji nośników, równanie na natężenie pola elektrycznego wewnętrznego przy wykładniczym rozkładzie domieszek.

Złącze p-n: mechanizm powstawania napięcia bariery ФB (inne oznaczenie UD), rozkłady koncentracji nośników i rozkład wypadkowego ładunku w poszczególnych obszarach złącza w warunkach równowagowych (brak polaryzacji). Polaryzacja złącza p-n: stan nieustalony modelowany pojemnością złączową (zmiana rozwarstwienia jonów w warstwie zaporowej). Wstrzykiwanie nośników podczas polaryzacji przewodzenia, relaksacja nośników większościowych prowadząca do zachowania obojętności elektrycznej Δn=Δp. Wyprowadzenie równania na czas relaksacji dielektrycznej gdy ρ=q(Δp-Δn)#0. Uzależnienie koncentracji na krawędzi wstrzykującej od napięcia polaryzacji U. Prądy płynące przez poszczególne obszary (mechanizmy), baza długa, definicja długości dyfuzyjnej (drogi dyfuzji). Rozkłady koncentracji nośników oraz rozkłady gęstości strumieni prądów w poszczególnych obszarach złącza przy polaryzacji przewodzenia dla bazy długiej.

Kondensator MOS; napięcia charakterystyczne UFB, UT oraz rozkłady koncentracji ładunków i układy pasm energetycznych dla różnych stanów kondensatora (akumulacja, płaskie pasma, zubożenie, inwersja, silna inwersja).

  1. Napisz równanie ciągłości. Opisz co przedstawia to równanie.

  2. Podaj warunek obojętności elektrycznej półprzewodnika w warunkach równowagowych oraz w warunkach nierównowagowych..

  3. Napisz równanie Poissona, opisz co przedstawia.

  4. Narysuj: rozkłady koncentracji nośników mniejszościowych i większościowych oraz układ pasm energetycznych w obszarze o grubości W krzemu domieszkowanego donorami ND(x)=ND(0)exp(-ax). Wyjaśnij powstawanie wewnętrznego pola elektrycznego. Udowodnij matematycznie stałość poziomu Fermiego (wychodząc z równania J=0 w obszarze półprzewodnika niejednorodnie domieszkowanego).

  5. Scharakteryzuj czasy relaksacji: zderzeniowej, dielektrycznej i czasu życia nośników. Opisz zjawiska relaksacji (możliwie dokładnie z warunkami) jakich poszczególne stałe czasowe dotyczą.

  6. Opisz i zobrazuj na rysunku wytwarzanie krzemowego złącza p-n metodą dyfuzyjną,

poprzez kompensację domieszek.

  1. Wyjaśnij mechanizmy prowadzące do powstania bariery potencjału ФB w złączu p-n.

  2. Opisz zjawisko zachodzące w stanie nieustalonym podczas zmian napięcia polaryzacji na złączu p-n związane ze zmianą ładunku w warstwie zaporowej. Podaj określenie i wartość charakterystycznej stałej czasowej. Jak jest modelowane to zjawisko.

  3. Narysuj (na jednym rysunku) rozkłady ładunku wypadkowego w poszczególnych obszarach złącza p-n, dla warunków: a) brak polaryzacji, b) polaryzacja U= +0,5V, c) polaryzacja

U=-6V. Oznacz ładunki nieskompensowane (co je tworzy?). Zachowaj w miarę możliwości proporcje. NA=1015cm-3, ND=5*1015cm-3.

  1. Wyjaśnij mechanizm prowadzący do ustalania quasi-obojetności elektrycznej na krawędzi

x=0, na której do obszaru n wstrzykiwane są nadmiarowe nośniki mniejszościowe. Określ

stałą czasową (czas) charakteryzujący ten proces.

  1. Podaj i przedyskutuj mechanizm doprowadzenia do Δp=Δn z sytuacji Δp#Δn czyli tworzenie quasi-obojętności elektrycznej półprzewodnika. Wyprowadź równanie na czas relaksacji dielektrycznej gdy w chwili t=0 zachodzi ρ=q(Δp-Δn)#0 i relaksacja doprowadza do ρ=q(Δp-Δn)=0.

  2. Wyprowadź równanie na wartość nadmiarowej koncentracji nośników na krawędzi obszaru, do którego te nośniki są wstrzykiwane (wdyfundowywane) z sąsiedniego obszaru w wyniku obniżenia bariery potencjału w złączu p-n przez polaryzację napięciem U.

  3. Narysuj w obszarze typu p (inna sytuacja w obszarze n), dla stanu ustalonego, rozkład koncentracji nośników mniejszościowych wstrzykiwanych do tego obszaru na krawędzi x=0 (linią przerywaną oznacz poziom koncentracji równowagowej tych nośników) oraz składowe prądów wynikające z tego rozkładu (oznacz kierunki ruchu nośników oraz mechanizm ruchu). Przyjmij, że obszar jest bazą długą.

  4. Podaj określenie (definicję) długości dyfuzyjnej (drogi dyfuzji) Lp (lub Ln).

  5. Napisz równanie na napięcie UFB w kondensatorze MOS (od czego zależy jego wartość) i określ co ono oznacza (jakie warunki w strukturze MOS uwzględnia).

  6. Napisz równanie na napięcie UT w kondensatorze MOS (od czego zależy jego wartość) i określ co ono oznacza (jakie warunki w półprzewodniku wyróżnia).

  7. Wyjaśnij zasadę sterowania ładunku pod powierzchnią w kondensatorze MOS, poprzez wyprowadzenie uzależnienia Qinv od (UG-UT).

  8. Dla kondensatora MOS z półprzewodnikiem typu p narysuj układ pasm energetycznych (oznacz poziom Fermiego, środek przerwy energetycznej, energie odpowiadające napięciom фF oraz фS) oraz rozkłady ładunków - a) przy napięciu UG < UT, b) przy napięciu UG = UT, c) przy napięciu UG > UT

2



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
kolos 3, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Kolokwium III
elcs k1, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Kolokwium I
ELCS lab 3, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
zejscie elka + eiti, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
LAB K zejscia, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, Lab 4 [K]
wyjscie, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
termistor, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 2 [T]
Dioda Zenera, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 2 [T]
ELCS lab 3, WEiTI - Makro, SEMESTR III, ELCS, Laboratorium, LAB 3 [M]
PWI - Prawa autorskie, WEiTI - Makro, SEMESTR III, PWI
l3, WEiTI - Makro, SEMESTR III, AISDE, Laboratorium, Lab 3
odp lab3 pofa-update 16-04-10, WEiTI - Makro, SEMESTR III, POFA, Laboratorium, Lab 3
Egzamin EITI ELKA, WEiTI - Makro, SEMESTR III, UCYF, Egzamin
SYMSE lab5, WEiTI - Makro, SEMESTR III, SYMSE, Laboratorium, Lab 5
lab3 pofa 16-04-10, WEiTI - Makro, SEMESTR III, POFA, Laboratorium, Lab 3
PWI - Prawa autorskie ver 2, WEiTI - Makro, SEMESTR III, PWI
PWI - Prawo patentowe a tworzenie oprogramowania, WEiTI - Makro, SEMESTR III, PWI
PWI - Konwencja Związkowa Paryska 1883 r., WEiTI - Makro, SEMESTR III, PWI
pofa lab 5 elka eiti, WEiTI - Makro, SEMESTR III, POFA, Laboratorium, Lab 5

więcej podobnych podstron