Ćwiczenie Nr 5

Wpływ oświetlenia na półprzewodnik

oraz na złącze p-n.

Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania i podstawowymi parametrami fotodiody i fotorezystorów.

Wykaz przyrządów

Rz - rzutnik

Fd - fotodioda BPYP35

Fr - fotorezystor

Zs - zasilacz stabilizowany

O - omomierz

R - rejestrator XY

Pomiar charakterystyki I = f(U) dla diody pracującej jako fotodetektor.

Schemat pomiarowy

Pomiar zależności rezystancji fotorezystora od natężenia oświetlenia.

Schemat pomiarowy:

Tabela pomiarowa

lp	R[kΩ]	E[kLx]	G[μS]
1	3,08	82,5	324
2	4,2	48	238
3	5,45	32	183
4	9,36	14,4	106
5	12,53	9,75	79
6	14,91	8,1	67
7	17,24	5,75	58
8	22,16	4,55	45

Wnioski

Wykonane pomiary charakterystyki oświetleniowej fotorezystora wykazują prawie liniowy przebieg tej zależności. Rezystancja elementu zmniejsza się wraz ze wzrostem oświetlenia,a więc przy pomocy oświetlenia możemy liniowo zmieniać wartość rezystancji fotorezystora (przyrost konduktancji jest liniową funkcją strumienia świetlnego).

Pomiary charakterystyki prądowo-napięciowej fotodiody pracującej jako fotodetektor wykazują, że fotoprąd (dodatkowy prąd związany z występowaniem wewnętrznego efektu fotoelektrycznego) jest zależny tylko od wartości strumienia świetlnego i nie zależy od przyłożonego napięcia.

---