POLITECHNIKA LUBELSKA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

ĆWICZENIE NR 2

TEMAT: BADANIE WŁAŚCIWOŚCI IMPULSOWYCH

TRANZYSTORÓW.

GRUPA DZIEKAŃSKA 6.2

ZESPÓŁ 4. WYKONALI:

LUBLIN 27.02.1996

1. Określenie punktu pracy tranzystora w stanach granicznych

charakterystyk statycznych.

A). Schemat układu pomiarowego.

B). Wyniki pomiarów.

k	IB	U
[-]	[mA]	[V]
1	0,1	0,45
2	0,2	0,75
4	0,4	1,43
8	0,8	2,68
16	1,6	5,21

2. Praca tranzystora w układzie przełączającym.

A). Schemat układu pomiarowego.

B). Wyniki pomiarów.

k	U	tp	tn	td	to
[-]	[V]	[μs]	[μs]	[μs]	[μs]
1	0,45	0	100	20	50
2	0,75	0	100	40	20
4	1,43	0	100	50	10
8	2,68	0	100	60	5
16	5,21	0	100	80	2

3. Badanie wpływu korekcji układu na parametry przebiegu

wyjściowego.

A). Schemat układu pomiarowego.

B). Wyniki pomiarów.

C	k	tp	tn	td	to
[pF]	[-]	[μs]	[μs]	[μs]	[μs]
100	1	0	40	5	20
100	2	0	20	8	10
100	4	0	10	16	5
100	8	0	5	20	0
100	16	0	2	20	0
500	1	0	20	0	20
500	2	0	12	2	10
500	4	0	8	4	4
500	8	0	5	8	0
500	16	0	2	16	0

4. Wnioski:

Podczas wykonywania ćwiczenia badaliśmy właściwości tranzystora w układzie kluczującym. Na ekranie oscyloskopu można było zauważyć trzy charakterystyczne parametry impulsu wyjściowego :czas narastania, czas opadania i czas opóźnienia

(czas przeciągania był niemierzalny).

Czasy te zależą od pojemności przyspieszającej i stopnia przesterowania tranzystora. Z wykresów można zauważyć,

że czasy te maleją wraz ze wzrostem tej pojemności. Pojemność

ta powoduje także ustalenie się czasu przeciągania na stałej

(prawie niemierzalnej) wartości.

---