Grupa MD 104.6b |
|
Laboratorium Podstaw Elektroniki |
Skład grupy laboratoryjnej:
Sylwester Sochar Sylwester Połuch Marcin Pająk Pytlak Tomasz Puzon Marcin |
|
Prowadzący |
|
Temat ćwiczenia:
Tranzystory mocy
|
Ocena: |
1.Cel ćwiczenia
Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadą działania tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.
2.Wiadomości teoretyczne
Tranzystory-to trójelektrodowe układy półprzewodnikowe o właściwościach wzmacniających. Stanowią one grupę elementów półprzewodnikowych o regulowanym przepływie ładunków elektrycznych.
Ze względu na budowę działania tranzystory dzieli się na:
- tranzystory bipolarne, w których przepływ prądu odbywa się wskutek ruchu nośników większościowych i mniejszościowych
- tranzystory unipolarne czyli inaczej polowe, w których przepływ prądu powodują nośniki tylko jednego rodzaju, natomiast napięcie sterujące powoduje zmianę rezystancji drogi ich przepływu,
-tranzystory jednozłączowe, stosowane rzadko.
-tranzystory IGBT stosowane do wysokich napięć i prądów będące połączeniem bipolarnych i unipolarnych
3.Przebieg ćwiczenia
3.1.1.Przeprowadzamy pomiary charakterystyk tranzystora bipolarnego
3.2.1 Wykonujemy pomiar prądu drenu przy stałej wartości napięcia bramki UGS
3.2.2.Wyznaczamy charakterystykę przejściową tranzystora unipolarnego dla stałej wartości napięcia UDS= 15V
4.Tabele wyników
4.1 Tranzystor bipolarny
Charakterystyka statyczna tranzystora bipolarnego dla róznych wartości prądu bazy IB=const
UCE |
IB |
IB |
IB |
0,1 |
140 |
310 |
420 |
0,2 |
320 |
540 |
700 |
0,5 |
400 |
690 |
870 |
1 |
410 |
710 |
950 |
2 |
420 |
740 |
970 |
5 |
450 |
760 |
1030 |
7 |
460 |
810 |
1070 |
10 |
480 |
840 |
1110 |
12 |
500 |
870 |
1130 |
15 |
520 |
900 |
1170 |
Charakterystyka przejściowa tranzystora bipolarnego IC=f(IB)
IB |
IC |
1 |
320 |
2 |
550 |
3 |
750 |
4 |
920 |
5 |
1040 |
6 |
1170 |
7 |
1280 |
8 |
1390 |
9 |
1480 |
10 |
1570 |
Charakterystyka wejściowa tranzystora
IB |
UBE |
2 |
510 |
4 |
550 |
6 |
570 |
8 |
580 |
10 |
590 |
12 |
600 |
14 |
600 |
16 |
610 |
18 |
620 |
20 |
620 |
4.2.Tranzystor unipolarny
Charakterystyka statyczna tranzystora unipolarnego
Uds |
Ugs |
Ugs |
Ugs |
0,1 |
50 |
110 |
330 |
0,2 |
60 |
150 |
430 |
0,5 |
70 |
180 |
600 |
1 |
70 |
200 |
710 |
2 |
70 |
200 |
730 |
5 |
80 |
210 |
790 |
7 |
80 |
220 |
830 |
10 |
80 |
230 |
930 |
12 |
80 |
240 |
1000 |
15 |
80 |
250 |
1180 |
Charakterystyka przejściowa
Ugs |
Id |
3,5 |
10 |
3,6 |
30 |
3,7 |
50 |
3,8 |
90 |
3,9 |
150 |
4 |
240 |
4,2 |
550 |
4,6 |
1186 |
4,8 |
2900 |
5 |
3220 |
5.Wykresy charakterystyk
5.1 Tranzystor bipolarny
5.2. Tranzystor unipolarny
6.Wnioski
Tranzystory są układami półprzewodnikowymi posiadającymi szerokie zastosowanie w elektronice. Są stosowane do budowy bramek logicznych, przerzutników i jako tranzystory kluczujące, do dużych prądów. Tranzystory przeznaczone do dużych mocy muszą mieć odprowadzenie nadmiaru ciepła wydzielanego na nich. Są stosowane w wielu dziedzinach jak np. technika audio.