POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE |
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI |
|||
Nazwisko: Boratyński |
Imię: Marcin |
Ćwiczenie nr 1
|
Grupa: Id 5.1 |
Rok akademicki: 20022003 |
Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora |
Data wykonania: 06-11-2002 |
Ocena: |
||
1.Cel ćwiczenia.
Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE .
2.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzieWB.
Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB
UCB =1V |
UCB=1.5V |
UCB=2V |
||||||
|
IE |
IC |
|
IE |
IC |
|
IE |
IC |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
0,30 |
0 |
0 |
0,34 |
0 |
0 |
0,28 |
0 |
0 |
0,40 |
0 |
0 |
0,55 |
4 |
2 |
0,50 |
0 |
0 |
0,60 |
13 |
13 |
0,59 |
10 |
9 |
0,59 |
10 |
9 |
0,63 |
12 |
20 |
0,63 |
21 |
18 |
0,63 |
20 |
19 |
0,68 |
40 |
40 |
0,66 |
32 |
28 |
0,65 |
31 |
29 |
0,70 |
51 |
48 |
0,68 |
42 |
40 |
0,67 |
40 |
27 |
0,71 |
60 |
55 |
0,69 |
50 |
48 |
0,70 |
52 |
48 |
0,73 |
72 |
65 |
0,72 |
70 |
65 |
0,72 |
70 |
67 |
0,74 |
80 |
75 |
0,75 |
86 |
81 |
0,76 |
90 |
89 |
0,77 |
93 |
89 |
0,78 |
100 |
96 |
0,77 |
100 |
100 |
Charakterystyka wejściowa WB.
IE =70mA |
IE=50mA |
IE=90mA |
||||||
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
1 |
60 |
0,26 |
1 |
44 |
0,22 |
1 |
80 |
0,29 |
2 |
60 |
0,26 |
2 |
44 |
0,22 |
2 |
80 |
0,28 |
3 |
60 |
0,27 |
3 |
43 |
0,22 |
3 |
80 |
0,28 |
4 |
65 |
0,26 |
4 |
44 |
0,22 |
4 |
80 |
0,28 |
5 |
65 |
0,26 |
5 |
44 |
0,22 |
5 |
80 |
0,28 |
6 |
65 |
0,25 |
6 |
44 |
0,22 |
6 |
80 |
0,28 |
7 |
64 |
0,25 |
7 |
44 |
0,22 |
7 |
80 |
0,27 |
8 |
64 |
0,25 |
8 |
44 |
0,22 |
8 |
80 |
0,27 |
9 |
65 |
0,24 |
9 |
44 |
0,22 |
9 |
80 |
0,27 |
h11b=ΔUcb/ΔIe=
h21b=ΔIc/ΔIe=
h12b=ΔUeb/ΔUbc=
h22b=ΔIc/ΔUcb=
3.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE
Schemat tranzystora pracującego w układzie wspólnego emitera
UCE =2V |
UCE =4V |
UCE =6V |
UCE =8V |
||||||||
UBE |
Ib |
IC |
UBE |
Ib |
IC |
UBE |
Ib |
IC |
UBE |
Ib |
IC |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
MA |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
0,15 |
0,1 |
10 |
0,14 |
0,1 |
10 |
0,15 |
0,1 |
10 |
0,13 |
0,1 |
10 |
0,17 |
0,25 |
20 |
0,16 |
0,22 |
20 |
0,16 |
0,22 |
20 |
0,15 |
0,2 |
20 |
0,19 |
0,35 |
30 |
0,19 |
0,35 |
30 |
0,18 |
0,3 |
30 |
0,17 |
0,3 |
30 |
0,21 |
0,57 |
50 |
0,2 |
0,45 |
40 |
0,19 |
0,44 |
40 |
0,18 |
0,4 |
40 |
0,23 |
0,8 |
70 |
0,22 |
0,65 |
60 |
0,21 |
0,64 |
60 |
0,21 |
0,6 |
60 |
0,25 |
1,05 |
90 |
0,24 |
0,9 |
80 |
0,23 |
0,9 |
80 |
0,22 |
0,8 |
80 |
0,26 |
1,15 |
100 |
0,25 |
1,15 |
100 |
0,25 |
1,08 |
100 |
0,24 |
1,04 |
100 |
IB =0.7mA |
IB=0.5mA |
IB=0.3mA |
||||||
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
1 |
64 |
0,2 |
1 |
46 |
0,19 |
1 |
26 |
0,17 |
2 |
66 |
0,2 |
2 |
48 |
0,19 |
2 |
27 |
0,17 |
3 |
68 |
0,2 |
3 |
48 |
0,19 |
3 |
28 |
0,17 |
4 |
71 |
0,2 |
4 |
49 |
0,19 |
4 |
28 |
0,17 |
5 |
74 |
0,19 |
5 |
50 |
0,19 |
5 |
28 |
0,16 |
6 |
75 |
0,19 |
6 |
50 |
0,19 |
6 |
29 |
0,16 |
7 |
76 |
0,19 |
7 |
51 |
0,19 |
7 |
30 |
0,16 |
8 |
77 |
0,19 |
8 |
53 |
0,19 |
8 |
31 |
0,16 |
h11e=ΔUbc/ΔIb=
h21e=ΔIc/ΔIb=
h12e=ΔUbe/ΔUce=
h22e=ΔIc/ΔUce=
4. Wnioski
Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe parametry tranzystora pracującego w różnych układach pracy. Impedancja wejściowa jest to parametr h11 wyraźnie widać iż w układzie wspólnej bazy jest o wiele mniejsza niżeli w układzie wspólnego emitera. W układzie wspólnej bazy wzmocnienie prądowe powinno być mniejsze od jedności co na podstawie przeprowadzonych pomiarów zostało udowodnione. W obu wypadkach wzmocnienie napięciowe jest większe od jedności. Admitancja wyjściowa jest również inna w obu przypadkach. W układzie OB. Jest znacznie większa niż w układzie OC. Na podstawie tych wniosków widać iż tranzystor w różnych klasach ma różne zastosowanie. Powyższe wnioski mogą nie zgadzać się z rzeczywistości ponieważ podczas pomiarów mogliśmy popełnić duży błąd pomiaru.
