Bosh, wychodzi na to, że jestem tepyh00y i do tego nie słowny ^^

Piątek imprezowy i chuj z elielektr był... dziś włebmiłupie, a do tego faktycznie część ciężko znaleźć. To co do tej pory mam:

Jak ktoś chce niech zweryfikuje, bo nie jestem pewien, czy to wsio jest dobrze. Badania trwają...

Ćwiczenie nr 2.

Zadanie 3.

Przykładowe charakterystyki częstotliwościowe podanych wzmacniaczy operacyjnych wyraźnie wskazują na preferencję tychże wzmacniaczy do częstotliwości niskich. Przy wartościach niezerowych występuje wyraźne stałe wzmocnienie napięcia, które po przekroczeniu pewnej wartości częstotliwości zaczyna drastycznie spadać, wraz ze wzrostem tegoż napięcia.

Dla wzmacniacza operacyjnego typu μA 741 wzmocnienie zaczyna zmniejszać się już przy częstotliwości 10kHz, zaś przy częstotliwości 800kHz osiąga wartość równą 1.

Ćwiczenie nr 1

Zadanie 10.

Zasada działania tranzystora IGBT:

Tranzystor IGBT działa dzięki szybkiemu przechodzeniu pomiędzy stanem blokowania oraz przewodzenia i na odwrót, dzięki kontroli tranzystora MOSFET.

Stan blokowania IGBT występuje gdy napięcie między bramką a źródłem jest niższe od wartości progowej U_gs(th), znanej z tranzystora MOSFET. W tym stanie dołączane napięcie dren-źródło powoduje przepływ bardzo małego prądu upływu.

W chwili, gdy napięcie bramka-źródło przekroczy wartość progową U_gs(th) tranzystora MOSFET struktury IGBT to zaczyna on przewodzić - płynie prąd drenu określony napięciem kolektor-emiter oraz wartością napięcia sterującego U_GE

U_gs oraz U_GE oznaczają napięcie bramka-źródło.

Charakterystyki:

Charakterystyki prądowo napięciowe po prawej charakterystyki wejściowe, po lewej przejściowa, dla tranzystora z kanałem n.

Charakterystyki tranzystora z kanałem typu p są takie same co do kształtu co w tranzystorze typu n, przy czym ich napięcia i prądy będą miały odwróconą polaryzacje.

Charakterystyki wejściowe zbliżone są kształŧem do charakterystyk tranzystora bipolarnego małej mocy, jednak jej wartością sterującą jest w IGBT napięcie bramka-źródło U_gs.

Charakterystyka przejściowa IGBT (prąd drenu I_d w funkcji napięcia bramka-źródła U_gs) jest liniowa dla szerokiego zakresu wartości prądu drenu i jedynie dla niskich wartości napięcia UGS zbliżonych do progowej UGS(th) wykazuje ona nieliniowość. W chwili gdy napięcie dren-źródło (U_ke) spada poniżej wartości progowej to tranzystor wyłącza się.

Maksymalne napięcie U_gs(max) określa się głównie przez maksymalny prąd drenu I_dm jaki może płynąć nie powodując uszkodzenia tranzystora.

Zastosowanie IGBT:

Większość nowych urządzeń energoelektrotechnicznych, jak na przykład spawarki inwertorowe...

Ćwiczenie o przetwornikach analogowych...

Zad 3.

Eh... nie jestem pewien, mam wrażenie, że wystarczy podłożyć do wzoru ^^'

R = 5 V / 2^3 = 5 V / 8 = 0,625 V

Ale h00yowo to wygląda :/ z drugiej strony innego wzoru na rozdzielczość nie znalazłem.

Zad. 4

Algorytm.

1. Ustawienie na '1' najstarszego bitu słowa binarnego o N-bitach, zaś pozostałych na „0”.

2. Jeśli napięcie na wyjściu przetwornika DAC jest wyższe od sygnału wejściowego, najstarszy bit jest ustawiany na „0”, a jeśli jest niższe pozostawia się bit ustawiony na „1”.

3. W kolejnych krokach aproksymacji (od 1 do N) powtarzana jest procedura z punktu 2.

---