20101007418

v,’. 2U7. Zestawienie jHidsiawowyeh procesów oddziaływania promieniowania laserowemu nt duMii*'!(«) typowych czasów jego emisji i standardowych gęstości mocy wiązki.

Łkiót/łw i laser Nd’,YAG (ośrodek aktywny w postaci granatu itrowo-glino-*<#0'kraiks/kowan^go neodymem, 1060 nm). impulsy pikosekundowe, 2 — laser Nd:YAG, iiujwiiąi nanonekundew#, i laser barwnikowy (350-950 nm), impulsy nanosekundowe,

* •««)' ‘ fcocyuM Ail'* (193 nm). KrF* (249 nm), XeCł* (308 nm), impulsy nanose-budow*, Uwi ItfiYAO (ośrodek aktywny w postaci granatu itrowo-glinowego doraiesz-■ d»» Ki, 7940 nm), impulsy mikrosekundowe, 6 — laser Nd:YAG, impulsy milise-twoiinit:, 1 Itfsgr argonowy (4KK i 514,5 nm), ciągły lub impulsowy, 8 — laser kryptonowy ‘^Al 1 ,M,9. ciągły lub impulsowy, 9 — laser COj (10 600 nm), ciągły lub impulsowy, 10 — la-*' *rw;wy₍ ciągły, j | laser Nd:YAG, ciągły, 12 - laser He-Ne (632,8 nm). ciągły, półprzewodnikowe (633--1500 nm), ciągłe lub impulsowe, 14 — laser barwniko-%«»ąjsły lub impulsowy.

IssffOw wymienionych po ruz pierwszy na przedstawionej wyżej liście zostały ^m ^Hłelkowo w nawiasach długości lal emitowanego przez nie promieniowania lub za-tggo    charaktery styczny dla całej grupy urządzeń objętych wspólną na-