20110519285

POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE		laboratorium Ćwiczenie Nr 6
Nazwisko : Goral Drozd	Imię : Łukasz Damian	Semestr IV	Grupa ED 4.1	2010/11
l’emat ćwiczeń Badanie podstc przyrzą	ia: iwowych właściw dów półprzewodr	ości materiałów i tikowych.	Data wykonania 18.04.20 lOr.		Ocena

1. T	abela pomia	rowa.
50	i?'?	3,10	5,6	747	262	89,3	25,1
60	T33	3,00	4,8	646	151	104,2	29,1	4,7
70	343	2,92	4,2	548	96	119,0	34,3	7,4
		2,83	4	456	63	125,0	41,2	11,2
90	363	2,75	3,4	391	48	147,1	48,0	14,7
100	373	2,68	2,8	329	42,3	178,6	57,1	16,7
110	383	2,61	2,4	294	41	208,3	63,9	17,3
120	393	2,54	2	249	43	250,0	75,4	16,4
130	403	2,48	1,67	220	45,6	299,4	85,4	15,5
140	413	2,42	1,65	196	47	303,0	95,8	15,0
150	423	2,36	1,2	176	46	416,7	106,7	15,4
160	433	2,31	1,26	168	37	396,8	111,8	19,1

Wymiary próbek:
	s [cm^2]	d [cm]
Si	0,001	0,5
Ge	0,0756	1,42
GaAs	0,07069	0,05

Przykład obliczeń:

2. E_g - energia pasma zabronionego.

Typ półprzewodnika:	Inoi	ln<32	1000/T,	1000/T2	AE=Eg [eV]
Si	5,7	4,7	2,47	2,87	0,43
Ge	4,6	3,2	2,4	3,08	0,36
GaAs	6,5	4	2,87	3,33	0,94

eV

~K.

k

8,625 • 10"⁵

Przykład obliczeń:

AK = K_g

In ¹ • 2000k (5 7 _ ₄ 7) . ₂000 • 8,625 • 10~⁵

-i--- _ ___1—___:-= o 41 el/

1000 1000 2 47-287

Ą ~TT

1/1    0,5

°^si = r 's ~Ta'0,001

67,6

1

MD \ cm.