A1

Nazwisko Imię

Indeks

Data

Grupa

Orientacyjnie: Zad. 1 =7 pkt, Zad. 2=3 pkt

1) Istnieje potrzeba sprawdzenia poniższej struktury pod kątem potencjalnych możliwości generacji napięcia ąuasisinusoidalnego o częstotliwości kątowej (pulsacji) lOMrad/s. Wykonać takie badanie według następujących punktów:

^{+ U}cc

O

{przyjąć, że cewka jest bezstratna}

a)    przyjmując zerowy prąd bazy obliczyć przybliżone współrzędne (I_c U_CE) punktu pracy tranzystora

{nie wiedząc jak znaleźć I_c , proszę przyjąć I_c = 1 mA }

b)    obliczyć przybliżoną wartość małosygnałowej trans konduktancji g_m tranzystora w punkcie pracy

{nie wiedząc jak obliczyć g_m , proszę przyjąć g_m = 20mS }

c)    narysować model rozciętej (w punkcie dołączenia końcówki bazy) pętli sprzężenia zwrotnego (tranzystor zastąpić prądowym źródłem sterowanym z parametrem g_m ; w

modelu uwzględnić tylko elementy istotne dla rozważania właściwości struktury dla generacji sinusoidy o częstotliwości 10 Mrad/s)

d)    sprawdzić kolejno spełnienie koniecznych warunków generacji sinusoidalnego przebiegu napięciowego ^uo(0 i jednocześnie znaleźć indukcyjność L zapewniającą generację drgań na o częstotliwości kątowej w przybliżeniu 10 Mrad/s

e)    w przypadku spełnienia warunków generacji obliczyć przybliżoną amplitudę napięcia ąuasisinusoidalnego u₀(t) wiedząc, że eksperymentalne stwierdzono, że wielkosygnałowa trans konduktancja (w sensie funkcji opisującej) tranzystora wynosi g_ni dla amplitudy