ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 100 101

100 Elektronika. Zbiór zadań

możemy wykorzystać rozwiązanie zadania 4.19, modyfikując we wzorach końcowych tylko wielkości opisujące tranzystor T₂, tj. wzmocnienie prądowe i napięcie baza-emiter.

5.Tranzystor unipolarny

W niniejszym skrypcie uwzględniono trzy rodzaje tranzystorów unipolarnych (polowych):

-    złączowy (JFET);

-    z izolowana bramka i wbudowanym kanałem, lub inaczej zubożeniowy (typu DMOS);

-    z izolowana bramka i indukowanym kanałem lub inaczej wzbogaceniowy (typu

EMOS).

Na Rys. 5.1 pokazano symbole tych trzech rodzajów tranzystorów oraz konwencję

stosowanych oznaczeń napięć i prądów. _    _ .,

^FIFT    gMo-S ?

a airt?r    saoj

Ryt. S.l. Symbole tranzystorów unipolarnych i konwencja oznaczania napięć i prądów    f fatifrGę*

Każdy z tranzystorów unipolarnych może pracować w dwóch stanach (obszarach): nienasycenia lub nasycenia. W przypadku tranzystorów JFET i DMOS z kanałem typu n, w obszarach nienasycenia i nasycenia spełnione są odpowiednio nierówności U_GD> Up i UcoKUp, gdzie U_F\tsX napięciem odcięcia kanału, natomiast w przypadku tranzystora EMOS nierówności U_CD>U_T i U_GD<U_T, gdzie U_T jest napięciem tworzenia się kanału. Przy zmianie kanału z typu n na p nierówności te zmieniają znak. Reguły zebrano w tabeli Tabela 5.1.

T*bcU 5.1, Reguły ofcrefląjace talenty pney tnmzyBorńw unipolarnych ć?aTV?-A k> y

Rodzaj Tranzystora	Stan nienasycenia		c Stan nasycenia
	kanał n	kanał p	kanał n	kanał p
JFET złączowy	i^ljcD^>ur U G-r	UcD<Up Uff	^ijgd^< ur Ug-s > Uf	,f^JGD^>ur Uff <ĆU/f
DMOS wŁ	Ugd^> Vp	UCD<Up	UGD<Up	UcD^>Up
EMOS IM	U GD ^>	uGD*' ^UT	uGD ^<UT	l^JGD^>ut

Tjt względu na fakt, że prąd bramki jest pomijalnie mały w porównaniu z prądem drenu i prądem źródła, mamy I_D «* l_s.

Charakterystyka przejściowa tranzystora polowego złączowego i typu DMOS w zakresie nasycenia jest opisana równaniem paraboli