Image161

Symbol graficzny rozpatrywanej pamięci z zaznaczeniem wszystkich linii sygnałów przedstawiono na rys. 4.117.

Układ charakteryzuje się czterema wyjściami danych (S_u S₂, S„ S₄) typu „otwarty kolektor”, co umożliwia łączenie wielu wyjść układów pamięci do wspólnej szyny danych wyjściowych. Czterobitowa informacja wejściowa (Z)„ D_t, D₃, D_t)

Rys. 4.116. Schemat blokowy pamięci 78010]

Dane wy

rm

Rys. 4.117. Symbol graficzny pamięci 780101

wpisywana jest do określonych adresem (A„, A_lt A„ A₃) komórek pamięci w wybranym przez dekoder słowie. Zapisem informacji steruje linia WE (ang. Write Enable). Sygnał wybierający CS (ang. Chip Select) umożliwia łatwe łączenie układu pamięci w bloki o większej pojemności.

Zapis / odczyt

Wejściami sterującymi pamięci są wejścia WE i CS. Sterowanie działaniem pamięci przedstawiono w tablicy 4.11. Na rysunku 4.118 przedstawiono przebiegi napięć, ilustrujące cykl zapisu i odczytu.

Opis działania pamięci RAM 780101    Tablica 4.11

Wejścia
CS	WE	Operacja	Stan wyjść
0	0	Zapis	1
0	1	Odczyt	Negacja słowa wybranego z pamięci
1	X	—	1

W celu dokonania zapisu danych do pamięci należy:

—    podać na wejścia A„ ... A, adres w kodzie binarnym, określający pozycję słowa w pamięci,

—    podać sygnał 0 na wejście CS,

—    podać informację wejściową do wejść D₁ ... Z)₄,

—    podać na wejście WE impuls 0 o minimalnym czasie trwania równym 25 ns.

171