Image165

Image165



Dla stanu niskiego (rys. 4.122b):

r    _ UęCmax~UoL max r

'OLmai    n "    */Lmax

^młn

gdzie:

Jol max = 15 mA, u cc™* — 5,25 V, t/0Lmax = 0,45 V,

/ILmax —maksymalny prąd wypływający z inwertera w stanie 0 na wyjściu. W tablicy 4.12 przedstawiono maksymalne wartości prądów dla bramek 04, H04, 504 i dopuszczalne wartości rezystancji R. Podobnie należy wyliczać wartość rezystancji R w innych warunkach obciążenia wyjść pamięci.

Graniczne wartości rezystancji R

dla różnych typów bramek    Tablica 4.12

Typ bramki

04

H04

S04

h max

&*A]

40

n.....

50

50

foL max

[mA]

—1,6

-2

-2

^max

[kQ]

16,8

15,6

15,6

^mln

10]

360

370

370

W przypadku pamięci o pojemności 16X4 bity linię CS dołącza się na stałe do potencjału 0 V.

Inaczej należy postąpić, projektując blok pamięci o pojemności 16Xn słów czterobitowych (rys. 4.123). Wejścia adresowe A0A3 dołączone są do wspólnych szyn i sterowane poprzez buforowe bramki wejściowe, zapewniające wymagane — dla danej pojemności bloku pamięci — warunki wysterowania wejść adresowych. Podobnie należy postąpić z wejściami danych. Bity adresowe starsze od A3 podawane są do wejść dekodera, który steruje wybieraniem kolejnych układów pamięci podczas zwiększania się kolejnych słów adresu.

Należy zwrócić uwagę na fakt, że przy dużej liczbie sterowanych wejść adresowych lub danych, zwiększa się w znaczny sposób pojemność, która powoduje zmniejszenie szybkości przełączania bramek buforowych. Pojemność wejściowa każdego wejścia adresowego i danych wynosi około 5 pF.

Przy liczbie sterowanych wejść np. 30 — pojemność wzrasta do około 150 pF i czas przełączania bramki zwiększa się około trzykrotnie. Nie zaleca się zatem sterowania większej liczby wejść niż 20.

Przy większej liczbie wejść należy stosować równolegle sterowane bramki (rys. 4.124b) dzięki czemu nie pogarsza się parametrów dynamicznych pamięci. Na rysunku 4.124a oznaczono maksymalną liczbę wejść (układów pamięci) jakie mogą być dołączone do inwerterów różnych typów. Należy zwracać uwagę na podawanie sygnałów na wejścia A0~~A3 w odpowiedniej postaci w stosunku do sygnałów podawanych na wejścia dekodera (bramki 04, H04 i S04 wnoszą negację logiczną).

Na rysunku 4.125 przedstawiono kilka wariantów dekoderów, sterujących wejściami CS w blokach pamięci o różnej pojemności. Czas opóźnienia deko-

175


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
wych, które powinny być dostępne dla wszystkich, niezależnie od ich stanu posiadania. Rys. 6.
Image136 Elektronika dla nieelektroników EdE Rys. 3 Rys. 4 pomiar napięcia baterii Rys. 7 pomiar nap
Image18 (10) Elektronika dla nieelektroników EdE Rys. 14 200mV oraz oczywiście napięcie odczytane na
Image132 Zmiana stanu przerzutników następuje przy zmianie sygnału taktującego z 0 na 1. Rejestr jes
Image133 X](t) x 2 (0 dla t = t q : x(tg ) Xl(t0) X1(t 1) x 2 (t 0 ) ? dla t = t M <■+
Image14 dla pierwszej składowej sygnału wejściowego U] (t)
Image140 X(t)=A X(t) +B U(t) - równanie stanu Y(t) = C X(t)    - równanie wyjści
Image15 Dla uproszczenia należy przyjąć, że -    ulicą Pszczyńską nie jeździ tramwaj
Image161 X(t) = A • X(t) + B • U(t) + E • Z (t) Y(t) = C ■ X(t) + H ■ Z (t) -    równ
Image163 X(t) = A • X(t) + B U(t) - równanie stanu Y(t)=CX(t)    - równanie wyjś

więcej podobnych podstron