PIC07

Do pow* Litego układu doprowadzono napięcie sinusoidalne o wartości łkuieciMj U. =2401' i częstotliwości / « 50 //- . Obliczyć impedanc/ę (zawadę) obwodu, prąd w obwodzie! spadki napięcia U». Kr.

Zadanie 4.

Cewkę o rezystancji K - 150 O i indukcyjności L = OJ 19 // połączono szeregowo z kondensatorem o pojemności C = 300 hF. Do    doprowadzono napięcie t/- 240 l'

O częstotliwości / rn 50 Hi, Obliczyć natężenie prądu w cym obwodz»e. spadki napięć na elementach obwodu. Obliczyć natężenie prądu dla częstotliwość i /■ 100 Mc.

Zadanie 5.

W szeregowym obwodzie RLC. zasilanym ze źródła o napięciu U a 40 V i częstotliwości /■ 100 Hz. płynie prąd o natężeniu / = 0,2 A. Rezystancja obwodu = 12042 opór indukcyjny X_L = 200 H Obliczyć opór pojemnościowy X_c i pojemność kondensatora C.

Rozdział II Elementy półprzewodnikowe

I. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe.

Półprzewodniki typu nip

Aby zrozumieć podstawy działania przyrządów półprzewodnikowych niezbędna jest znajomość elementarnych zagadnień fizyki ciała stałego w odniesieniu do modelu pasmowego struktur krystalicznych niektórych pierwiastków.

To z kolei pozwala na analizę zjawisk zachodzących w obrębie złącza p - n co daje się graficznie przedstawić w postaci modelu pasmowego (mowa o pasmach energetycznych) takiego złącza.

NttJ prostszą definicję półprzewodnika możemy sformułować następująco: ..Półprzewodniki są materiałami, których rezystywność jest większa niż rezystywność przcwodników(np. metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów(dicłcktryków)’’.⁹

Taki materiał - Idealnie czysty, me zawierający ładnych domieszek ani defektów sieci krystalicznej nazywamy samoistnym. Nośniki swobodne ładunku w półprzewodniku samoistnym powstają wskutek zrywania wiązań w sieci krystalicznej, co w energetycznym modelu pasmowym oznacza ..przeskok" elektronów z pasma walencyjnego przez całą szerokość postna zabronionego do pasma przewodnictwo. Z każdym aktem takiego ..przeskoku .. łączy się generacja pary elektron - dziura, liczba elektronów w półprzewodniku samoistnym jest zatem równa liczbie dziur, ij: ni = pi. gdzie. ni ~ koncentracja elektronów, tzn. liczba elektronów w Im.; pi - koncentracja dziur; indeks j“ oznacza półprzewodnik samoistny (ang. intrinsic>

Rozpatrzony powyżej przypadek półprzewodnika samoistnego jest z punktu widzenia technicznego abstrakcyjny, gdyż materiał półprzewodnikowy nigdy nie ma idealnej

¹ W. Marciniak; Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT. Warszawa 1979