PIC38

90

Najczęście j stosowany podział diod typu LED:

1.    ze względu na zastosowany msant półprzewodnikowy: homozłączowe i hctcrozłąezonc.

2.    ze względu na kierunek wyprowadzenia świafe względem płaszczyzny złącza p-n: powierzchniowe _: krawędziowe,

3.    ze względu na zastosowania; sygnałowe i do sprzęgania ze światłowodami.

Do najważniejszych parametrów diod LED należą:

•    tfugoić fali emitowanego światła: X JnrnJ. np. X=1300nm

•    szerokość widmowa: A>. |nrnj, np. &)^=20um

•    moc wyjściowa (optyczna): P fjiW],

•    częstotliwość graniczna lub czas narastania/opadanir f_; JMHzJ, x (nsj.

•    maksymalny prąd zasilający Ip (mAJ.

•    maksymalne wpięcie wsteczne: U, fVJ (zwykle jedyne k3ka|V|!).

Emitowana wiązka światła ma sporą rozbieżność i wymap skąpienia. Dlatego obudowy tfiod LED zawierają dodatkowo soczewki formujące (skupiające) strumień świetlny.

Fotorezfstory są elementami, w których energia światła generując dodatkowe nośniki prądu zmienia jego koodukływność zgodnie z zależnością:

Of * Oo.dC

—mn do- qfO/*i«.dpłi,)

fdzśr. Of jOo lo wartości kondukt ywności (biorczy stora oświetlonego i nieoświetlonego, do przyrost konduktywności wywołany nośnikami wygenerowanymi przez fotony.

9I|

q - ladmift tlumawiyj IU. m - ruchliwość. odpowiednio cfchro«6» i dziur.

Zgodnie z tą zależnością należy spodziewać mc. ze kondukty wność foure/yMon będzie wzrastać liniowo wraz ze wzrosłem generowanych w rum nośników. W normalnych warunkach pracy fotorczystoc jest spolaryzowany napięciem o dowolnej polaryzacji. Oświetlenie spowoduje zmianę natężenia prądu w obwodzie fotorczystora.

Fototranzystory U> elementy z zaciskami E. B. C lub dwukoócówkowe (baza nic ma wyprowadzenia), w których clcmcni działa przy polaryzacji typowej dla układu pracy WE tranzystora. Mimo braku prądu bazy tranzystor zapewnia wzmocnienie fotoprądu. Zasada jest następująca. Jeżeli dla tranzystora n-p-n w obszarze bazy pod wpływem oświetlenia wygenerowane zostaną pary elektroo-dziura. to wygeacrou anc elektrony zwiększą bezpośrednio wartość prądu kolektora tranzystora. Równocześnie wygenerowane dziury powodują:

obniżenie napięcia cmilcr-buza spowodują zwiększenie ilości wstrzykniętych nośników większościowych, a co za tym idzie wzrasta wzmocnienie tranzystora. Zwiększeniu wzmocnienia, a co za tym idzie a czułości fototranzystora, towarzyszy spadek szybkości działania w porównaniu z fotodiodami,

Fototyrjstory to elementy mocy. w których proces włączania przyrządu zachodzi na skutek oświetlenia. Tyrystor znajdujący się w stanic blokowania w efekcie generacji nośników może przejść w stan przewodzenia, ponieważ wygenerowanie nośników na skutek oświetlenia odpowiada wprowadzeniu nośników przez spolaryzowane złącze bramka-katoda w tradycyjnym tyrystorze.