Strona
1

11

Jeżeli u » d wówczas mamy:

- dla warstwy:
41 f us V* ^b 3d 1, d J	(7.1)
- dla drutu:
us P = ^pbT	(7.2)

Jeżeli natomiast u « d wówczas mamy: - dla warstwy:

P = Pb('+^)	(7.3)
- dla drutu:
3uc
p=Pb(i+-f) 4d	(7.4)

gdzie: pb - rezystywność dużego kryształu przewodnika [firn]

8. Rezystywność stopów metali. Wpływ domieszek (zanieczyszczeń) i deformacji sieci krystalicznej na własności elektryczne metali

Najmniejszą rezystywnością charakteryzują się metale w stanie chemicznie czystym. Domieszki innych metali powodują zakłócenia regularnej budowy siatki krystalicznej metalu podstawowego, co w większości przypadków zwiększa opory swobodnego uporządkowanego ruchu elektronów swobodnych z zewnętrznych powłok walencyjnych. Domieszki (zanieczyszczenia) odgrywają tym większą rolę, im jest większa różnica między masą atomów metalu głównego (rozpuszczany), a masą atomową pierwiastka stanowiącego dodatek stopowy (metal rozpuszczalnika) traktowanego jako zanieczyszczenie Decydującym czynnikiem o charakterze zależności rezystywności od temperatury jest typ stopu. W związku z powyższym rozróżnia się stopy jednorodne i niejednorodne W przypadku stopów jednorodnych to jest takich, kiedy metale składowe rozpuszczają się w sobie nieograniczenie tworząc jednolite siatki krystaliczne, rezystywność stopu jest zawsze wyższa w stosunku do rezystywności metali składowych (rys. 1)

W przypadku stopów niejednorodnych, które stanowią mieszaniny kryształów metali składowych rezystywność stopu jest proporcjonalna do procentowego udziału w nim poszczególnych składników (rys.2). Wartość CI20 zależy w' przybliżeniu również proporcjonalnie od wartości c<2o składników' tworzących stop. (rys.2).

fi d a

Rys, 1, Zależność p i a od składu jednorodnego stopu Ni-Cu