Strona
4

14

P(T) = Pi (T) + p_r = Pi (T) + Pd + P$    (81)

Rezystywność pi zależy od temperatury, natomiast p, w przybliżeniu nie zależy od temperatury Rezystywność resztkowa wynika z ograniczenia średniej drogi swobodnej elektronów przez atomy domieszek lub defekty sieci krystalograficznej. Obecność w kryształach defektów punktowych tj. dyslokacji lub miejsc wolnych (vakatów) oraz deformacji wskutek przeróbki plastycznej prowadzi do znacznego rozproszenia elektronów i pojawieniu się potencjału deformacyjnego. Potencjał ten jest inny w polu odkształceń sprężystych wokół dyslokacji i inny w rdzeniu dyslokacji. Rozproszenie elektronów na deformacjach siatki krystalograficznej    polega na tym, że padająca na taki    defekt    fala    elektronowa zostaje

częściowo odbita    a częściowo przepuszczona. Wpływ na p_r ma również    przeróbka plastyczna

na zimno np. procesy ciągnienia drutów Wskutek zgniotu kryształy metalu ulegają silnej deformacji. W'iąże się to z zwiększeniem własności wytrzymałościowych i twardości materiału oraz jego rezystywmości p,.

W' celu przywrócenia materiałowi jego pierwotnych własności elektrycznych i mechanicznych stosuje się    odpowiednią przeróbkę plastyczną na    gorąco.    Jest    to tzw. wyżarzanie

rekrystalizacyjne    w odpowiednio dobranej dla danego    metalu    lub    stopu temperaturze.

Skutkiem tego zabiegu jest regeneracja zdeformowanej siatki krystalograficznej przewodnika, a zatem obniżenie wartości p_r.

9. Wpływ pola magnetycznego na rezystywność metali w kriotemperaturach.

Reguła Matthicsscna. Kriorezystywność metali

Należy wyraźnie podkreślić, że suma rezystywności pi(T) i p, nie stanowi jednak całkowitej rezystywmości przewodnika. W' pewnych warunkach obok tych składników sumy występuje zwiększenie rezystywności materiału przez efekt wymiarowy (-) lub zwiększenie rezystancji w polu magnetycznym Ostatnie zjawisko nosi nazwę magnetorezystywności. Należy tutaj róumież w-spomnieć o efekcie naskórkowości.

W temperaturze otoczenia, rezystywność jest proporcjonalna do tej temperatury. Wynika to z faktu, że wartość składowej pi jest znacznie większa od pozostałych składników sumy. W' miarę, gdy temperatura maleje, maleje również pi(T) i p(T) zbliża się asymptotycznie do wartości p, Składow>ą p_r można zmniejszyć stosując coraz bardziej czysty metal o idealnej strukturze siatki lub tez stosować odpowiednią obróbkę cieplną, (rys.5)

Rys.5. Zależność rezystywności metalu od temperatury w przypadku:

1 - metal zanieczyszczony, 2 - metal doskonale czysty o idealnie regularnej siatce krystalograficznej, 3 - nadprzewodnik