1tom164

6. ELEKTROTECHNIKA TEORETYCZNA 330

Tablica 6.30 (cd.)

6. ELEKTROTECHNIKA TEORETYCZNA 330

Przewód o przekroju kołowym

J_m ~    — gęstość prądu wewnątrz przewodu

u = y/a/rjr

J_Q(u) = a_Qc^iłń — funkcja Bcsscla pierwszego rodzaju zerowego rzędu J_Q(u) — gęstość prądu w osi przewodu

n

B_m — —    — indukcja wewnątrz przewodu

V-jaw

J_y{u) = a,c^izi — funkcja Bcsscla pierwszego rodzaju pierwszego rzędu

u	"o	„0 *0	*1	«S
0	1	0	0	-45
1	1,015	14,22	0.501	37,84
2	1,229	5228	1,041	-16,73
3	1,950	96,52	1,800	15,71
4	3,439	138,19	3,173	53,90
5	6,231	178.93	5,812	93,90
6	11,501	219,62	10.850	133,45

•J - jaw -Mjow '•o)

^2ltroV    r₀)

wewnętrzna przewodu

Z =

impedancja

I O) u

^M1+JVir

impedancja

wewnętrzna przewodu w przypadku silnego zjaw^fiska naskórków ości

WYKAZ WAŻNIEJSZYCH OZNACZEŃ

A	wektor w przestrzeni uogólnionej,	s	powierzchnia
	macierz.	l	—długość
A	— wektor fizyczny	Q	—objętość
A(r,l)	—funkcja r i t	V	— potencjał elektryczny
A	- wartość zespolona	K,	potencjał magnetyczny
A	moduł, skalar	c =	3 - 10^a m/s prędkość światła w próżni
u, <p, V	—skalar	P	— przenikalność magnetyczna
<f>, ^	—skalar, kąt	e	— przenikalność elektryczna
I	— prąd	D	wektor indukcji elektrycznej
V	napięcie	R	wektor indukcji magnetycznej
L	indukcyjność własna	E	— wektor natężenia pola elektrycznego
M	—indukcyjność wzajemna	<i	— ładunek elektryczny
<P	—strumień magnetyczny	r	kontur, długość
V F	— strumień magnetyczny sprzężony siła	d d/t	pochodna normalna
V	prędkość	Am	— składowa normalna
P	— moc	A,	— składowa styczna
S	— wektor Poyntinga

LITERATURA

6.1.    Bolkowski S.: Teoria obwodów elektrycznych. Wyd. 4. Warszawa, WNT 1995.

6.2.    Cholewicki, T.: Elektrotechnika teoretyczna. T. 1. Wyd. I. Warszawa. WNT 1967.

6.3.    Goworkow W. A.: Pula elektryczne i magnetyczne. Warszawa. WNT 1962.

6.4.    Kącki E.: Równania różniczkowe cząstkowe w elektrotechnice. Warszawa, WNT 1992.

6.5.    Knoepfel H.: Pulsed high magnetic fieldu. London — Amsterdam. North-Holland P.C. 1970.

6.6.    Sikora R.r Teoria pola elektromagnetycznego. Wyd. 2. Warszawa. WNT 1985.

6.7.    Simonay K.: Iheorelische Elektrotechnik. Berlin. V£B Deutscher Verlag der Wissenschaften 1956.

6.8.    Tern es G. C., Mitra S-K.: Teoria i projektowanie filtrów. Warszawa. WNT 1978.

6.9.    Sikora R.: Wybrane zagadnienia z teorii pola elektromagnetycznego. Warszawa. PWN 1984.

Elektronika

prof- dr inż. Jerzy Jaczewski inż. Jerzy Orzechowski

7.1.    Elementy elektroniczne półprzewodnikowe dyskretne

7.1.1.    Wiadomości wstępne

7.1.1.1.    Półprzewodnik samoistny

Elektronika jako dziedzina techniki dzieli się na elektronikę sygnałową (omawianą w tym rozdziale) i energoelektronikę (tom 2., rozdz. 8). Podstawową rolę w elektronice odgrywają elementy czynne i bierne, zbudowane z ciał stałych i wykazujące właściwości półprzewodników. Pominięto w rozdziale 7. innego rodzaju elementy elektroniczne, jak np. lampy próżniowe, gazowane itp. Istotę zjawisk zachodzących w półprzewodnikach pod wpływem różnych czynników (temperatura, domieszkowanie, promieniowanie elektromagnetyczne i korpuskularne, pole elektryczne i magnetyczne itd.) wyjaśnia elektronowa teoria budowy materii i kwantowa teoria ciała stałego.

a)

	b) w	c) ' w	a) w
	5
			/
-	3
-	^WS 2	£////(///, ^
	1 W\N ^Wr 0		0_

'////////////

Rys. 7.1. Model pasmowy ciała stałego: a) izolator IV >4 — 5 eV; b) półprzewodnik Q < W_g < 3 eV; ^c) metal, brak Ws d) położenie poziomu Fermiego W_Fi w półprzewodniku samoistnym

*'c

u-:"

Właściwości kolektywne atomów półprzewodnika opisuje się za pomocą modelu pasmowego energetycznego (rys. 7.1). Podstawowe pojęcia [7.5; 7.12] to:

- Szerokość pasma zabronionego (przerwy energetycznej)

= min(W[—»[,) eV, tj. wartość energii dostarczanej z zewnątrz niezbędnej do jonizacji atomu, czyli przejścia elektronu z pasma walencyjnego W_v do pasma przewodnictwa W_r Półprzewodnikiem jest ciało stałe, gdy 0 < W_g < 3 eV.