1tom263

1tom263



10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 528

W przypadku niejednostajnego rozkładu pola, jego natężenie osiąga lokalnie wartość E większą niż. wartość średnia Ea. Stosunek tych wartości jest współczynnikiem niejednostaj'-ności pola

P = ^    (10.30)

Wyznaczenie jego wartości wymaga znajomości rozkładu natężenia pola, który otrzymuje się w wyniku rozwiązania równania Laplace’a lub Poissona przy określonych warunkach brzegowych.

W przypadku elektrod regularnych, których kształt jest opisywalny analitycznie, izolowanych pojedynczym dielektrykiem, można stosunkowo łatwo obliczyć współczynnik niejcdnostajności elektrycznego. W tablicy 10.6 zestawiono współczynniki niejedno-stajności pola wraz z charakterystykami rozkładów pola elektrycznego typowych układów izolacyjnych o dielektryku jednorodnym. Niejednorodność dielektryka komplikuje obliczenia. Jeśli jednak występuje ona w postaci uwarstwienia regularnego, to wzory stają się stosunkowo proste.

Wartość natężenia pola Ex w dowolnej warstwie szeregowego układu dielektryków o elektrodach płaskich jest określona zależnością

E* " z

if*

i-1 E;

oraz w układzie elektrod współosiowych cylindrycznych — zależnością U


(10.31)


E =


V 1 i r+1

V, L ln-

1=1 Si Ti


(10.32)


przy czym: U — napięcie doprowadzone do układu: i — kolejna warstwa dielektryka (w układzie cylindrycznym liczona od osi); n — liczba warstw; z — przenikalność elektryczna; r — promień w układzie cylindrycznym.

Zależność współczynnika niejcdnostajności pola od grubości warstw układów dwuwarstwowych przedstawiono na rys. 10.25.



Rys. 10.25. Współczynniki niejcdnostajności pola układów uwarstwionych szeregowo: a) płaskiego; b) cylindrycznego

10.2.1*2. Mechanizmy wyładowań w gazach

Wyładowania elektryczne w gazach są poprzedzone procesami jonizacyjnymi i dejoniza-cyjnymi, które są scharakteryzowane w tabl. 10.7. W ośrodku gazowym można wyodrębnić trzy następujące mechanizmy przechodzenia od wyładowania niesamoistnego do samoistnego a następnie zupełnego: próżniowy, Townsenda (iskry krótkiej) i kanałowy. Ich charakterystyki są podane w tabl. 10.8.

Tablica 10.7. Charakterystyka procesów jonizacyjnych i dcjonizacyjnych

Rodzaj procesu

Kryteria i zależności

Uwagi i objaśnienia

Fotojonizacja nicsamoistna1) i samoistna2

IV, = 7 vji» HWL< -... ' - W,

możliwa kumulacja energii kolejnych wzbudzeń, stała h = 6,6-10”34 J-s

Jonizacja fotoelektronowa

vh » Wj

elektron uwolniony w procesie jonizacji ma energię wystarczającą do dalszej jonizacji

Jonizacja zderzeniowa

> pnr~ f6Wj * aq V *T

możliwa kumulacja energii kolejnych zderzeń; stała a = 1 cząsteczki nieruchome; a = 1/n/2 cząsteczki w ruchu bezładnym; stała k = 1,38 10" 23 J/K

Jonizacja termiczna

2W.

T>-J-

3 k

Jonizacja powierzchniowa: fotoemisja termoemisja autoemisja emisja wtóma (zderzeniowa)

vh > Pw r> 2000 K E > 1 MV/cm Wk > Pw

praca wyjścia Pw = 0,7 6,3 eV

Dyfu;g'a

v.kT

Y = -j— grad nq

Rekombinacja

dn,

nJU) = ~r~~~ ~ 1+*,V

współczynnik rekombinacji

aq = 10 7 h- 10"6 cm3/s dla jonów

xq = 10"14-r 10 8 cm3/s dla elektronów

Tablica 10.8. Mechanizmy wyładowań elektrycznych w gazach

Mechanizm

Iloczyn

ap

hPa-cm

Kryteria przeskoku (wyładowania samoistnego)

Uwagi i objaśnienia

t';'E 4 Wa

katodowe inicjowanie przeskoku w przypadku emisji po-lowej (anodowe-warunek niespełniony)

Próżniowy

< 10-J

up S <aC)2

przypadek makrocząsteczkowego bombardowania elektrod

«W'+uie> i

przypadek międzyelektrodo-wej wymiany cząstek

’*' Fotojonizacja powodowana przez promieniowanie zewnętrzne.

2) Fotojonizacja powodowana przez promieniowanie wewnętrzne.

Oznaczenia: Ws energia jonizacji; Ww — energia wzbudzenia; Wk — energia kinetyczna; v;, częstotliwość i długość fali wzbudzającej; E — natężenie pola; T — temperatura bezwzględna; p — ciśnienie gazu; r0 — promień zderzenia (cząsteczki); q ładunek; vs — prędkość skierowana; nq — koncentracja ładunku; n0 koncentracja ładunku w chwili r = 0.


34 Poradnik inżyniera elektryka tom 1


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
1tom260 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 522 Rys. 10.22. Mostek Schennga: a) prosty, b) odwrócony G - -
1tom261 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 524 (czas rozdzielczości). Przy dużej częstości n impulsów może
1tom262 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 526 10.2. Izolacja urządzeń wysokiego napięcia 10.2.1.
1tom264 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 530 Tablica 10.8 (cd.) Mechanizm Iloczyn ap hPa-cm Kryteria
1tom265 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 532O) Rys. 10.28. Charakterystyki wyładowań elektrycznych w ukł
1tom266 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ534535 Tablica 10.9. Wartości wykładników m, i m2 do uwzględnien
1tom267 10. TECHNIK A WYSOKICH NAPIĘĆ 536 Pod wpływem przeskoków powstają udary ucięte na grzbiecie
1tom268 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 538 Wzrost wytrzymałości przy czasach krótszych niż r,cr jest z
1tom269 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 540 domieszka SF6 w izolacji powietrznej lub azotowej zwiększa
1tom273 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 548 Wyładowania niezupełne rozpoczynają się, gdy natężenie pola
1tom257 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 516 daje dostatecznie duże prawdopodobieństwo, że izolacja będz
1tom289 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 580 Przy ochronie urządzeń stacyjnych, a zwłaszcza uzwojeń
1tom251 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 504 współczynnik tłumienia określony zależnością00.1) przy czym
1tom252 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 506 Tablica 10.2. Związki między parametrami generatorów
1tom253 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 508 0 J0 20    30    40 cm 5
1tom254 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ .510 2.    Układ (rys. 10.9b) będący rczystancyj
1tom255 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 512 Tablica 10.4. Przekładnie i warunki stosowania dzielników
1tom256 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 514 Rejestrator cyfrowy działa na zasadzie dyskrctyzacji mierzo
1tom258 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 518 oraz (10.17) Uwzględniając, żc wartości oczekiwanej UJ0 odp

więcej podobnych podstron