PT015 |
Njpajcci njp<*ti 9V | Haumilni odMr; 8mA | Hcamiry DPSi 44s22mm | SMD 1206 | Navmuta civka 32./3.S souCJktli vy«iiaci hmitoict: cca lOOMHi | uxivana moduiacr: WFM - wkJc FM p«o priKm staoflartn#ł>o FM pFijimac« | Ladini crvkou | |
VRATISLAV MICHAŁ, www.postreh.cpm/vmichal. TIPA: richard.vacula3itipa-czech.com
Popisoyany bezdratoyy mikrofon sloużi k radioyemu prenosu akustickych signaiu. Vyużiva kmitoćtovćho pasma VKV a modulace WFM (wide-FM) a je tedy zachytitelny na beznem radiovem pfijimaći. Bezdratoyy mikrofon se diky impedanćne oddalane anteno yyznacuje dobrou km*rtoćtovou stabilrtou. Cela konstrukce je realizovdna na miniaturnim ploinćm spoji s nepśjivou maskou a pocinovanymi pajecimi vyvody. Jsou pou/ity soućastky pro povrchovou montaż - SMD velikostl 1206 ktere jsou diky sve velikosti snadno pńjitelne. Problemy se stavbou ći ja kek ol i pr ipominky smerujte do spolećnosti TIPA na Sekci modukj a stavebnic (email v zdhlayi). Pfejeme VAm uspe&nou stavbu.
Popis zapoje ni
Bezdrśtoyy mikrofon se sWś<tó ze tfi ć&sti Mikrofonni zesilovać. osaldtor/modutator a oódćloyad zesilovaci stupert (obr.1). Mikrofonni zesiloyać siouźi k zasileni nizkofrekvenćniho napćti z mikrofonu Napili z mikrofonu prochdzi pfes odporovy trlmr klery umaluje nastavil nizkofrekvenćni citlivost. do
tranzi$torovćho ze$ilovaće osazeneho tranzistorem ó* Zisk stupnć je naslaven na cca. 30dB Schotkyho diody Di.Di omezuji maxjmalni rozkmil nizkofrekyenćniho signaiu na cca. 500mVf*p. a zamezujl premoduloyani osdlótoru. Osaiator je tvołen Iranzistorem Q1. s vysokofrekvenćnć uzemnćnou b£zi (kondenzAtor C5) Kolekłorovou zśtćż lvofi paralelni rezonanćni obvod C| Ltl klery yykazuje na kmitoćtu (\nz vzorec) maximaini (ideAlnć nekonećnou) impedanci. Tranzistor Oi tedy pracuje na tomto kmitoćtu s mawmślnim zjskem. (Kapaota Cp je tyofena seriovou kombinaci C? a C9 a parazitnimi kapadtami tranzistoru). Zayedenim kladnó zpetne yazby (kondenz^tor C8) se zesiloyać stanę nestabilni a zaćne na kmitoćtu f0 osdlovaL Nizkofrekyenćni napćti z mikrofonniho zesilovaće pfipojenć na bśzi tranzistoru Qi posouvś pracoyni bod. ćimź dochazi ke zmćnć nćkterych parametru tranzistoru. pfedevśim velikosti kapacity Ces (podobni jako u yankapu), coź md viiv na hodnotu nosnćho kmitoćtu f0.
1
Modutoyany vysokofrekvenćni signól je zesiloydn v zesiloyaći osazenóho tranzystorem Q_>a pres kondenzótor C12 veden do antśny a vyz#en. Duleżita funkce t oho to tranzistoru je impedanćni oddćleni anteny od osdlżtoru. Antena na pracovnim kmitoćtu yykazuje yzasadć obtiźne definovatelnou impedanci (kiera navic zńleżi na pfostorovćm umistćni anteny) Tato impedance by se pfićitala ke kapacitć Ca a nevyhodnć by ovlivrtovala stabilitu nastayeneho kmitoćtu Fo.
Vzhledem k absenci yystupniho pfizpusoboyadho obvodu (tak jak je to u klasickych yysilaću) nelze pfesnć konkretizovat poźadavky na delku anteny a tedy na jeji impedanci Optimńlni delku anteny je tedy lepśi yyzkouśet experimentalne. Vhodne je i yyzkouśet i vliv umćlś zeme (protiv£hy).
lgll5|
Ant
□
os1 o1 r 1 u1® n- +
-■ tiyiCi qi ćiiyj Q2 M ou
lr\ill,^|[i^r\oll[f> II golili [^IIoII-hI
Konstrukce
Konstrukce $ SMD souććstkemi se od klasickych s drćtovymi vyvody podstatnć liśi. Nejen v naroćnosti na stavbu a trpćliyost. ale hlavnć technikou pajeni. Pro uspćSnou stavbu je vhodn£ vybava mikropśjka. pinzeta a cin menśiho prumćru (O 8mm)
Tak jako u bćżnych soućóstek. zdćindme 1 zde odpory, kondenzatory. pak rozmćmejśi soućastky a aż na konec tranzistory ći integroyanó obvody.
Jelikoż mikropśjkou tavime cin aź na samotnćm plośnem spoji (na rozdil od trafopajky. kdy $1 mużeme cin nabrał pfedem a pro pfipśjeni soućastky je tfeba jen Jedna ruka). coż znamena. że druhś ruka obvykle pfidrżuje cin, ale v tomto pfipadć je nutnć pfidrźcvat i soućastku, nemame dostatećny poćet konćetin Musime si proto nćjakym zpusobem pomoct. Jak yyplyya z obrazku, nejdfive jsme $1 vźdy na jednu pionku nanesli maić mnoźstyi dnu. potć phlożime SMD soućśstku uchopenou v pfnzetć a posleze phloźime hrot ke stranć soućastky. pod niż se należał onen naneseny cin.
Oźiveni a nastayeni
Po osazeni pftpojime na napśjeni 9V a zmćfime odbćr (cca. 6mA), ćlmź se zevrubnć pfe$vćdćime o spravnem nastayeni pracovnich bodu tranzistorO. Nastayeni kmitoćtu proyedeme nejlópe na ćitaći roztahoyanim/stahoyanim civky L1. NemameJi ćitać k dispozid. Ned&me v pasmu VKV nejsilnćjSi signai a pomod zminćnych uprav dvky jej nastayime na vdny kmitoćet Vhodn6 je kmitoćet nastavovat na ptijimad bez automabekeho doladovanim kmitoćtu (AFC).
Pro spravnou funkci je duleźite ytiodnć nastavit nizkofrekyenćni citliyost odporoyym tnmrem R2 V pfipadć mobilniho pouźiti je vhodne celon konstrukc* odstimt Stinćni propojime s pólem 0V Diodu led Dj neni nutnó osazovat