586 2

POŁCIA I HX D£F1H>CJ£

,wc o podwy»xoncj wytrzymałości) o . „ -Ikrododalk"®* (stale nlskostopo ^ ^ _zWięks/x>ncj zawartość. Mn

- n„wa ,.»l. •• nule; »*£#* J*J„ ,* , jednego luh k.Maw n^cp,,,,, _vth

(do IM ora/ malej    ^ _du*. wytrzymało* ■ m«k, temper.,,,,,,

pierwiastków: Nb. Ti. ' • ^A *    . ^ rozdrobnieniu /iama.

przejścia w stan kruchy ^u/v^^U^_krn uwierający poniżej 2* C. stosowany

Staliwo - techniczny stop ^/r *^    plastycznie)-

u suuue odlanym (n.e obrob,on> r    ^ _komórkę elementarną (dł_u-

Stale skdowr (a. b. c, ». A ^y ^ _ki|(6w między krawędziami).

gości krawędzi komórki . wam-    _{sję y pr/CS}yconego roztworu bardzo

Starzenie - proces polegajmy na y rf_wnomiemie rozmieszczonych cząstek drobnych, o dnie) gęstości i w J _f )CSl nazywane samorzutnym. jczdi fazy lub faz metastablmych. * sztucznym, jeżeli jest realizowane zachodzi w temperaturze otoczenia.

_S10P: ISSS3SS5U * - - j-j* *-* ^picroi“^,k6w <->

w cząsteczce polimeru

KSŁ, —t

miedzy mmi charaktery*)**"? dla danego    _|nh    ......

(w skali atomowej), mikrostruktura (w skali mikroskopowej).

Struktura eutekryezna - mikrostruktura dwufazowa tworząca się podczas krzep-męcia cieczy o składzie eutektycznym.

Struktura krystaliczna regularna przestrzennie centrowana (Rł C, A2) - struktura krystaliczna, której komórka elementarna jest sześcianem, a położenia atomowe znajdują się w środku i w narożach komórki.

Struktura krystaliczna regularna ściennie centrowana (RSC, Al) - struktura

krystaliczna, której komórką elementarną jest sześcian, a atomy zajmują położenia na narożach i w środku ścian sześcianu.

Struktura typu Na Cl - struktura krystaliczna o sieci RSC związku MX. w której liczba koordynacyjna wynosi 6. a na punkt sieciowy przypada jeden kation i jeden anion.

Struktura usieciowana - struktura cząsteczkowa z wiązaniami pierwotnymi w trzech wymiarach.

Strumień dyfuzji U) - liczba atomów przemieszczających się przez jednostkową powierzchnię w jednostce czasu.

Substytucyjny roztwór stały - roztwór stały, w którym rozpuszczone atomy zajmują w strukturze krystalicznej rozpuszczalnika położenia atomowe.

System poślizgu - płaszczyzna poślizgu i leżący na niej kierunek poślizgu.

Szereg napięciowy metali - uszeregowanie metali ze względu na standardowe potencjały elektrochemiczne.

_s/klo-amorf,c/nc ciało

dalekiego /^ięgu'^k°^{V,anłc    pr}“^{j4cta w} '^lsm «»«*>•" *Ale

_S/>bkość dryfu - ś_rcdn)a    Sku.nMomiaM me nu» uporządkowana

“■ - - -» —~

Techniczne stopy żelaza ₇. v%vuK*^{łmcnarni ma}&netycznymi

pierwiastki utawtaj** wy^T *»•»    wę*m *

pierwiastki, których usuwam,;    ^{< Wadn,t}' ^IWV«« - Mn Si. M, ortu

opłacalne (zanieczyszczenia - s p "u“    ⁿ“ *** ekonomicznie

^T,T”r S*;    «*>.-» » ^

diaclcktrykami.    - a materiały ferromagnetyczne stają s_K

Temperatura cutektoidalna - temperatura równowagi termodynamicznej m,cd*v roztworem ulegającym przem.anie eutektcdalnej, produkt™, _)Cg„ _pr ™ *'

Temperatura eu.ek.yczna - temperatura równowag, termodynamiczne, m,Z cecz^ o składzie eutektycznym i produktam, przemiany etuektyeznei

Temperatura homologtczna - stosunek aktualnej temperatury mat'er,alu do ,eeo temperatury topnienia, wyrażonych w skali bezwzględnej.

Temperatura przejścia w stan kruchy (TPSK) - temperatura rozdzielająca zakres pękania ctągltwego od znajdującego się w niskiej temperaturze zakresu pękania kruchego.

Temperatura rekrystalizacji - temperatura, w której po odkształceniu plastycznym na zimno nastąpi całkowita rekrystalizacja materiału w ciągu jednej godzjny.

Temperatura zeszklenia (temperatura przejścia w stan szklisty) - temperatura, powyżej której materiał jest przechłodzoną cieczą, a poniżej - sztywnym szklistym ciałem stałym.

Tranzystor - przyrząd półprzewodnikowy trójclektrodowy umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów optycznych.

Twardość - miara odporności materiału na penetrację lub zarysowanie przez tw ardy, ostry przedmiot; istnieje wiele ogólnie stosowanych metod pomiaru twardości, np. Brinella, Rockwella. Vickersa.

Tworzywo szklano-ceramieznc (dewitryfikat) - formowany w stanie szklistym materiał ceramiczny, w którym przez obróbkę cieplną doprowadza się do ^M krystalizacji ok. 90% objętości tworzywa w postaci bardzo drobnych ziam

Udarność

(0,1 r-1 pm).    . .    .

ii - odporność na działanie trójosiowych naprężeń dynamicznych, miarą

udamośct jest wartość energii koniecznej do zniszczenia próbkr obciążonej udarowo.

587