cy wpływ obwodu wejściowego (o których wspomniano powyżej) można pominąć wpływ obwodu wyjściowego. W wyniku całkującego wpływu obwodu wejściowego wystąpią zniekształcenia czoła impulsu (rysunek 2.18) Zgodnie z prawem komutacji napięcie na pojemności nie może zmienić się skokowo tylko zmienia się wykładniczo, co powoduje wystąpienie różnego od zera czasu narastania.
Oł*C£4r2ć> ^
Rys. 2.18. Ilustracja powstawania zniekształceń czoła impulsu
Zwiększenie górnej częstotliwości granicznej wzmacniacza (skrócenie czasu narastania impulsu) można osiągnąć zmniejszając wartości stałych czasu obwodów decydujących o fg.
W ćwiczeniu laboratoryjnym zmniejszenie stałej czasu obwodu wejściowego uzyskuje się w wyniku zastosowania w obwodzie wejściowym rezystancji tłumiącej R$ (patrz rysunek 2.2 — i?3). Należy jednak zdawać sobie sprawę z tego, że równocześnie z poprawą własności wzmacniacza w zakresie górnych częstotliwości (zwiększenie fg) ulegną zmniejszeniu wartości wzmocnień skutecznych.
Zazwyczaj interesujące jest porównanie uzyskanych wyników tzn. wartości wzmocnienia i częstotliwości granicznej wzmacniacza z możliwościami j wynikającymi z własności zastosowanego tranzystora. Wygodnym wskaźnikiem wykorzystania możliwości wzmacniających tranzystora we wzmacniaczu, jest tzw. względne pole wzmocnienia GB definiowane jako:
(2.16)
58