Elastyczny tester tranzystorów

A uch mit einfachen Mit-teln lassen sich haufig gute Resultate erzie-len. Mit einem Minimum an Bauelementen kónnen dank der vorgestellten Schaltung nicht nur bipolare Transisto-ren, sondern auch FETs aut ihre Funktionstuchtigkeit uber-priift werden. Das Geheimnis: Der zu testende Transistor ist selbst aktiver Teil einer schwingsicheren Colpitt-Oszil-latorschaltung. Die parallel zur Spuie L1 geschaltete Reihen-schaltung aus C1 und C2 bil-det einen kapazitiven Span-nungsteiler, der datur sorgt, daB die Wechselspannung am Kollektor (Drain) etwa drei mai hóher ist ais am Emitter (Sour-ce). Damit der Oszillator wirk-lich schwingt, muf3 der Basis (Gate) die richtige, transistor-abhangige Spannung uber P1 zugefuhrt werden. Diese Spannung kann unter Umstan-den auch negativ gegenuber dem Emitter- (Source) Potenti-al sein.

Mit S1 wird die Polaritat der Versorgungsspannung je nach Transistor-Typ umgeschaltet. In der untersten Stellung ist das Gerat ausgeschaltet. Zum

Flexibler Transistor-Tester

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Nachweis der Oszilla-tor-Schwingungen ver-fugt die Schaltung uber ein empfindliches Amperemeter, das Liber C3 mit dem Emitter (Source) des zu prufen-den Transistors verbun-den ist. Bei der richtigen Einstellung von P1 ist die Signal-Amplitude maximal. Im Idealfall betragt der Spitze-Spit-ze-Wert der am Emitter abgegriffenen Wechselspannung 2,25 V (bei einer Versorgungsspan-nung von 9 V).

Im Laborversuch wurde beim Testen eines BC 547B ein Wert von 90 pA ermittelt. Das ent-spricht einer Spannung von 1,6 V_ss. Beruck-sichtigt man den durch D1 bedingte Schwell-spannung von 0,3 V, so ergibt sich ein Gesamtwert von 1,9 V, der dem errechne-ten Idealwert bereits relativ nahe kommt.

DaB der Zeiger-Ausschlag den errechneten Wert bei einigen Transistoren geringfugig unterschreitet, hangt mit der

bu

S1 a O-13

L1

9V

100mH

i

■

820n

>■

C2

390n

(+)BT2

R1 P1

10k

lin.

D.e

G,B_0

o

o

S,E

DUT

i

9 V

f

14

S1b

C3    R3

SI: 1 = OFF

2    = NPN/N-CHANNEL

3    = PNP/P-CHANNEL

niedrigen Impedanz zwischen Emitter (Source) und Masse zusammen. Diese Impedanz ist von den verwendeten Bau-teilen abhangig und wirkt sich aut die Spannungsverstar-kung des jeweiligen Transistors aus. Die Schaltung

wurde mit den Transistoren BC547A, B; BC557B; BSX20; BF245;    BS170;    BS250;

BD139; 2N3055 getestet. Der Stromverbrauch betragt etwa 3 mA.    M

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