Laboratorium Elektroniki cz I 9

94

- kanał typu n - U_Ds > O, Ugs i 0, U_Bs ś 0,

- kanał typu p - U_Ds < O, U_GS < O, U_Bs ^ 0.

Tranzystory te stosowane są głównie w technice cyfrowej. Natomiast tranzyst

z kanałem zubożanym różni się możliwością dwubiegunowej polaryzacji bazy, pr^y zachowaniu pozostałych warunków bez mian. Te tranzystory znalazły głównie zast* sowanie w technice analogowej.

5.2.2. Charakterystyki statyczne

W przypadku tranzystorów polowych z izolowaną bramką interesują nas rodziny charakterystyk wyjściowych i przejściowych, tj.:

II_n = f(IL,_c) dla U_nc = const D GS'    DS

¹D = ^f(^uDS) dla U_GS = const

Tranzystor może się znajdować w jednym z czterech podstawowych stanów, tj.:

1)    stan odcięcia: U_Gs > Ut. U_Ds dowolne - kanał typu n

Ugs < Ut, Uds dowolne - kanał typu p

2)    stan nienasycenia: U_Gs < Ut, Uds ^ Uo_sat - kanał typu n

U_Gs > U_T, U_Ds £ U_Dsat - kanał typu p

3)    stan nasycenia: Ugs < Ut , Uds > Uosai - kanał typu n

U_Gs > U_T, Uds < U_DSat - kanał typu p

4)    stan powielenia lawinowego: U_Gs < Ut, Uds S Uosmax - kanał typu n

U_GS > U_T, U_Ds ^ U_Dsmax - kanał typu p

Charakterystyki wyjściowe

Rodzina charakterystyk wyjściowych dla tranzystora z kanałem wzbogacanym została przedstawiona na rys. 5.1 a, natomiast z kanałem zubożanym na rys. 5.1b W obu przypadkach pole charakterystyk wyjściowych można podzielić na obszary pracy w stanie nienasyconym i nasyconym. W początkowej części stanu nienasyconego, gdy Uds « Ugs, następuje liniowy wzrost prądu drenu l_D przy wzroście napięcia Uds. W miarę dalszego wzrostu napięcia Uds pojawia się nieliniowy spadek napięcia na rezystancji kanału, będący przyczyną zmian natężenia pola w jego obrębie

powered by

Mi siol

a)

b)

Charakterystyki wyjściowe tranzystorów MOSFET z kanałem typu n: a) wzbogacanym, b) zubożanym