Laboratorium Elektroniki cz I 9

94

-    kanał typu n - U_Ds > O, Ugs ^ 0. Ubs ^ O,

-    kanał typu p - Uos < O, Ugs ^ 0. Ubs ^ 0.

Tranzystory te stosowane są głównie w technice cyfrowej. Natomiast tranzystor z kanałem zubożanym różni się możliwością dwubiegunowej polaryzacji bazy, przy zachowaniu pozostałych warunków bez mian. Te tranzystory znalazły głównie zastosowanie w technice analogowej.

5.2.2. Charakterystyki statyczne

W przypadku tranzystorów polowych z izolowaną bramką interesują nas rodziny charakterystyk wyjściowych i przejściowych, tj.:

I_D “ f(Ur.s>U_n<;)

GS* DS

*D ”    ^DS

}D = ^f(^UD_S) ^{dla U}GS

= const = const

Tranzystor może się znajdować w jednym z czterech podstawowych stanów, tj.:

1)    stan odcięcia: U_Gs > U_T, U_Ds dowolne - kanał typu n

Ugs < Ut, Uds dowolne - kanał typu p

2)    stan nienasycenia: Ugs < Ut, Uds ^ UDsat - kanał typu n

Ugs > U_T, U_Ds ^ U_Dsat - kanał typu p

3)    stan nasycenia: Ugs < Uj , Uds > Uosat - kanał typu n

Ugs > U_T, Uds < U_Dsat - kanał typu p

4)    stan powielenia lawinowego: U_Gs < Ut, Uds ^ Uosmax - kanał typu n

U_GS > U_T, U_Ds ^ U_Dsmax - kanał typu p

Charakterystyki wyjściowe

Rodzina charakterystyk wyjściowych dla tranzystora z kanałem wzbogacanym została przedstawiona na rys. 5.1 a, natomiast z kanałem zubożanym na rys. 5.1b. W obu przypadkach pole charakterystyk wyjściowych można podzielić na obszary pracy w stanie nienasyconym i nasyconym. W początkowej części stanu nienasyconego, gdy Uds « Ugs. następuje liniowy wzrost prądu drenu l_D przy wzroście napięcia Uds- W miarę dalszego wzrostu napięcia Uds pojawia się nieliniowy spadek napięcia na rezystancji kanału, będący przyczyną zmian natężenia pola w jego obrębie.

powered by

Mi sio!

fys- 5.1. Charakterystyki wyjściowe tranzystorów MOSFE' b) zubożanym

r z kanałem typu n: a) wzbogacanym,