190
190
- |
Generator |
r - |
1kHz |
/ 4T Zasilacz obwodu kolektora
Rys. 10.4. Podstawowy układ do pomiaru parametru hybrydowego h^, tranzystora bipolarnego
1. Uzasadnić schemat pomiaru h11e.
2. Uzasadnić schemat pomiaru hi2e.
3. Uzasadnić schemat pomiaru h21e.
4. Uzasadnić schemat pomiaru h&e.
5. Jaki sens fizykalny ma parametr hne? Uzasadnij to.
6. Jaki sens fizykalny ma parametr h2ie? Uzasadnij to.
7. Jak i dlaczego zmieni się parametr h2ie. jeżeli tranzystor włączymy inwersyjnie?
W ćwiczeniu wykorzystywany jest tylko przyrząd fabryczny P-561. Układ pomiarowy żądanego parametru wybierany jest z klawiatury, podobnie jak i zakres mierzonych wartości parametru. Wartość parametru odczytywana jest bezpośrednio na mierniku wskazówkowym. Badany tranzystor wkładany jest do podstawki stanowiącej wyposażenie przyrządu. Punkt pracy tranzystora (określony przez napięcie Uce 1 prąd kolektora lc) ustalony jest przez odpowiednie nastawy (skokowo przełącznikami i płynnie potencjometrami) zasilacza kolektorowego i zasilacza obwodu bazy.
powered by
Mi siol
10.5.1. Zapoznanie się z budową i obsługą miernika
10.5.2. Badanie tranzystora BC 107 (tranzystora epiplanarnego, małej mocy, małej częstotliwości), dla którego Uce™* = 45 V, lBmai = 20 mA, lcmax = 100 mA, Pmu = 300 iłiW (parametry graniczne)
a) Pomiary parametrów hne, h12ei h2ie, h228 dla dwóch punktów pracy, np.:
Pi[Ucei = 10V, lc, = 15mA] (P = 150mW)
P2[Uce2 = 5 V, Ic2 = 2 mA] (P = 10 mW).
b) Zdejmowanie charakterystyk hjj8 = f(lc). UCe = 10 V dla prądu lc zmienianego w zakresie dwóch dekad (czyli 0,2-20 mA).
Przykładowe charakterystyki, które można znaleźć w katalogach, mają przebiegi jak na rys. 10.5.
0.1
hjje ( Lc hije(2mA]
1
0.2 2 20
Rys. 10.5. Typowa zależność parametrów hybrydowych hH8 tranzystora bipolarnego od prądu kolektora
Uwaga!
Zmieniając punkt pracy tranzystora, należy nieustannie sprawdzać moc wydzielaną na tranzystorze Pm*, = lc- Uce. aby nie przekroczyć jej dopuszczalnej wartości (dla tranzystora BC 107-300 mW).
c) Dla punktu pracy P2 zmierzyć parametry h11e, hi2„, h2i8 tranzystora w połączeniu inwersyjnym (zmieniając rolami kolektor z emiterem).