Laboratorium Elektroniki cz I 9

Laboratorium Elektroniki cz I 9



214

2.    Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i k| oraz rezystancje Rwe i Rwy dla wtórnika emiterowego.

3.    Wyjaśnić zasady doboru punktu pracy tranzystora we wzmacniaczu rezystancy). nym.

4.    Wymienić i omówić sposoby stabilizacji punktu pracy tranzystora. Porównać te sposoby pomiędzy sobą.

5.    Uzasadnić dopuszczalność stosowania przy projektowaniu wzmacniaczy rezy. stancyjnych założenia, że y11e = y22e = 0.

6.    Obliczyć wzmocnienie k^ i kj( oraz rezystancje Rwe i Rwy dla wzmacniacza rezy-stancyjnego z rys. 11.5a dla danych: RE = 200 O, Rc = 2 kQ, RG = 50 O, R0 = hiie = 2 kO, hi2a = 8 10-4, h21e = 200, h22e = 35 pS.

7.    Obliczyć wzmocnienie k^ i krt oraz rezystancje Rwe i Rwy dla wzmacniacza rezy-stancyjnego z rys. 11.7a dla danych: Rc = 5 kft, Rf = 20 kO, RG = 10 k£2. Pozostałe dane takie jak w zadaniu 6.

8.    Obliczyć wzmocnienia k^ i kii oraz rezystancje RWe i Rwy dla wzmacniacza przedstawionego na rys. 11.9. Dane: Re = 200 Q, RG = 10 kO, Rf = 20 k£2, - tranzystor jak w zadaniu 6.

9.    Zaprojektować układ wg rysunku 11.1 Oa tak, aby uzyskać: Ut = 150 V/V. fd = 20 ft. Dane tranzystora w zadaniu 6. Przyjąć: RG = 50 O, R0 = 5 kO.

10. Wyprowadzić wzory na dolną częstotliwość graniczną dla kondensatorów sprzęgających we wzmacniaczu ze sprzężeniem napięciowym (rys. 11.1 Ob).

Rys. 11.13. Wzmacniacz do zadania 11

powered by

_ Mi siol

11.    Obliczyć i wykreślić częstotliwością charakterystykę amplitudc?}re^nsviS3=ra^^ o schemacie wg rys. 11.13. Dane: RG = 10 kił, Rs = 300 kO, C = 5 nF, Ci = C2 =

5 (iF, Rb = 1 MO. Rc = 5 kO, R<> = 10 kO. h21e = 100. Ucc = 12 V.

12.    Omówić i wyjaśnić zasady działania ujemnego sprzężenia zwrotnego.

11.4. Aparatura pomiarowa

Na stanowisku znajduje się model jednostopniowego wzmacniacza rezystancyj-nego, umożliwiający wszechstronne przebadanie jego właściwości. Schemat ideowy przedstawiono na rys. 11.14. Wartości rezystancji poszczególnych rezystorów można zmieniać w następujących granicach; RB = 100 kO - 1,4 MO, Rc = 0,5 - 20 kO, Re = 0 - 2 kO, Rs = 20 - 600 kO. Oprócz tego modelu zawiera dwa rezystory o stałych wartościach: R, = 10 kO i R2 = 100 O. Oprócz modelu na stanowisku znajdują się następujące przyrządy pomiarowe: generator napięć sinusoidalnych, oscyloskop, dwa woltomierze elektroniczne, opornica dekadowa i amperomierz.

Rys. 11.14. Model wzmacniacza rezystancyjnego

11.5. Program ćwiczenia

1. Dobrać punkt pracy tranzystora tak, aby uzyskać największe nie zniekształcone napięcie wyjściowe. Zwrócić uwagę na wpływ rezystancji źródła na kształt napięcia wyjściowego. Zmiany rezystancji źródła modelować za pomocą rezystorów Ri i R2.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 9 214 2.    Wyprowadzić wzory na wzmocnienia ku i ki
Laboratorium Elektroniki cz I 9 114 114 •    Czułość na zmiany mocy strumienia świe
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnyc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 542.2.2. Charakterystyki statyczne tranzystora w układzie OB Chara
Laboratorium Elektroniki cz I 9 154 Rys. 7.13. Dryft napięcia emiter - baza UEb w funkcji temperat
Laboratorium Elektroniki cz I 9 174 Zająć i wykreślić charakterystykę tiG = fOcr) dla dwóch różnyc
Laboratorium Elektroniki cz I 9 Rys. 11.1. Układ wzmacniacza ze źródłem sygnału (Eg, Zg) i obciąże

więcej podobnych podstron