123
a wytężenie:
W punkcie B (na osi poziomej): (p = n/2, r, = b2/a = al4, r2 = a
Nq = -p a (naprężenia obwodowe ujemne) (II. 17)
Nv=p-dl. (11.18)
Dla porównania, dla powłoki walcowej w punkcie B:
Nq = 2 jV(p = p ■ a (naprężenia obwodowe dodatnie) (II. 19)
Rys. II.3. Naprężenia obwodowe i wzdłużne w powłoce walcowej i eliptycznej
Przy przejściu z powłoki eliptycznej do walcowej następuje przeskok naprężeń obwodowych z ujemnych do dodatnich (rys. II.2), co powoduje pojawienie się dodatkowych naprężeń zginających w powłoce (rys. II.5).
Wzory membranowej teorii powłok cienkościennych nie pozwalają na otrzymanie poprawnych wyników dla powłok elipsoidalnych. Można to zweryfikować metodą elementów skończonych. Na rys. H.5 przedstawiano mapę wytężenia dla