2009 07 03 38 40

I    Młkł** A.łWHK- W«M»łW)|    Ju4jJVł>fck\44m»^- 4CuUł t-5.V V>iai»v-t <n»\ vjvVv*iV»^tA< I

NmmiAu i limę C ^ ł * "~t    #/    /\A m*'-. *

I ( ł**ll^«| Mai)IWrę l«*/y §$yWłi8L ^łC i U    >U|\V^lń

rt>łwttf/u' 3iu»t(j4i:' (4>itic>t fUsh ^cv«|tt>i«iiu»H    £)}<>/ęyW>iu |

IH⁴, (I) Wł4/ię clrktiKimWc^

siifulrtttM WiłfKfw f©/pyl»flyeh )<in§w© /**W?yM4 i) alitu* ^tp ty g4/U\itj Afj § i    UNTfmfdtUfy pidUi?** i tc.u^tat^t « Ut^ąW tfl* 1

tp* t«>_F . 4 ) pwlflłyftu; j{ ^iiijlti^a

I i ) Z#J sązttę ttąr-,trt mę-taLt trOłin* -tupliwyth WVk&fjjj|§ ffiTlffil

yp-'rtiwęjgo _sbi rozpylania ftiagnetr^now^ęo x I    AJ¹

Hf|C€Il3*K€£t3 -

* Nar •• ‘aiznoei.&ze krvten*a przydatności pomioty rt i .» cacpb wtaści ,b) z&w&ność jooft^ alkalicznych x>    tazy \u

przewodność cieplna

w*

Gładka powierzchnia podłoży (szkło) gwarantuje rozrzuty rezystancji cienkowarstwowych w granicach: a) 0,2-1 J5 % ,b)\0-\5%,c> 20-25%, ^ 5 .Sźg^ yększy wkŁad do wzrostu rezystywności cienkie) warstwy woc a)»akanse .bjdysłokacje, c) domieszki podsiawieniowe .j) granice j