CCI20110406003

4 -

D a poszczególnych domieszek - energia E_d wynosi:

P    As

'ształu si    0,0045eV    0,049eV

Ge    0,012eV    0,013eV

Sb

0,039eV

0,0096eV

- energia E_g wynosi

Si 1,1eV Ge 0,7ev

nictwo

ⁿikach    Natomiast domieszka akceptorów, atomów które mają mniej elektronów niż

cowym_2:;_my sieci, wprowadza poziomy w pobliżu wierzchołka pasma walencyjnego. Na przykład >ny, wp erwiastki z III grupy układu okresowego (B, Al, Ga, In). W niskich temperaturach energia noszą ceplna wystarcza do pobudzenia elektronów z pasma walencyjnego do przejścia na ooziomy domieszkowe i pozostawienia za sobą dziur w paśmie walencyjnym. Ponieważ te także ooziomy przyjmują (akceptują) elektrony z pasma walencyjnego, są nazywane poziomami odniku akceptorowymi a domieszki grupy III są dla Ge i Si domieszkami akceptorowymi.

Domieszkowanie akceptorami tworzy półprzewodnik, w którym gęstość dziur jest znacznie większa niż gęstość elektronów w paśmie przewodnictwa (materiał typu p).

*//////////////, *//////////////,

ych w jnym i	Ea	Ea ........
		n ttttt
	Ey.............	. . . J^v. _ .o .a .o .o.o. . . .
laniu z
a.	T~0	T-50K

mergiaRys. 1.5 Wychwytywanie elektronów z pasma walencyjnego przez poziom akceptorowy,

:em w    powodujący powstawanie dziur w paśmie podstawowym

;owych

ją sięC la półprzewodników domieszkowanych koncentrację nośników wyrażają równania:

_P = B(T)jN^e™

n = B(T)jN~_de~*^kT)

a

>t duże