elektronika0001

6.Wzmacniacze w zakresie średnich częstotliwości

W rozdziale przedstawiono analizę i proces projektowania prostych wzmacniaczy prądu zmiennego pracujących w układach wspólnego emitera, wspólnej bazy, wspólnego kolektora. Przedstawiono też przykłady odpowiedników tych wzmacniaczy zbudowanych z wykorzystaniem tranzystorów unipolarnych.

Przedstawiona w rozdziale analiza pracy tych układów dotyczy jedynie tzw. małych sygnałów tzn. sygnałów Jla których element nieliniowy (tranzystor) można zastapió jego liniowym modelem. Modele takie w przypadku tranzystorów przyjmują postać schematów zastępczych. Przedstawione przykłady analizy wykorzystują dwa schematy zastępcze, oba dla układu wspólnego emitera. Schemat hybrydowy „h”.

E

Rys. 6.1. Schemat zastępczy „h" tranzystora bipolarnego

którego zaleta jest łatwość pomiarowa występujących na schemacie elementów oraz schemat hybryd II, który dla zakresu częstotliwości średnich, (których rozdział dotyczy) przyjmuje postać:

E

Rys. 6.2. Schemat zastępczy b/ó-yd CI tranzystora bipolarnego

W wielu pizykisdsch do analizy użyto uproszczonej wersji schematu „h” w której przyjęto Aj2=0 a czasem także =0. Zaleta schematu hybryd n jest między innymi możliwość określenia wartości niektórych jego elementów np. transkonduktancji na podstawie znajomości punktu pracy tranzystora:

^m —jj ^lć <ł

gdzie l_c jest stałym prądem kolektora tranzystora.

W rozdziale przedstawiono analizę w zakresie częstotliwości średnich tzn. takich dla których wszystkie pojemności w układzie maja tak małe impedancje że możemy je traktować jak zwarcia. Jednocześnie częstotliwości te sa na tyle małe że pojemności wewnętrzne tranzystora traktowane sa jak rozwarcia. Warto przypomnieć, że analizując obwód dla prądu zmiennego możemy wykorzystać nasadę superpozycji i wszystkie występujące w obwodzie źródła napięcia stałego (albo źródła o innej częstotliwości) w tym napięcia zasilającego możemy traktować jak zwarcie. Podobnie źródła stałego j>rądu traktujemy jak rozwarcie.