ELE 2

|3. Moc admisyjna diody Zencra określa:

a) w artość szczytową prądu jaką dioda może przewodzić
b) wartość chw ilową prądu jaką dioda może przewodzić
c) moc jaką dioda może dostarczy ć do obciążenia Ro
d) oeólną moc jaka może wydzielić się na diodzie w postaci ciepła

14, Zmiana napięcia na wyjściu stabilizatora parametrycznego zależy:

a) od wielkości współczynnika stabilizacji
b) od spadku napięcia na rezystancji statycznej diody
c) od spadku napięcia na rezystancji dynamicznej diody	—
d) od w ielkości rezystancji obciążenia Ro

15. Dławik dwuuzwojcniowy nie zapewnia:

a) separację składowej stałej i zmiennej
b) dopasowanie iinpcndancyjnc
c) przenoszenie składowej zerowej (stałej)
d) izolację galwaniczną

16. Regulację składowej stałej i amplitudy napięcia wyjściowego

w układach dużych mocy uzyskuje się:

1 a) w układach całkujących LR dla t,» t
| b) w układach całkujących RC dla t,» t
c) w układach całkujących LR dla t, a x
1 d) w układach całkujących RC dla t,* t

17, Modulację (sterowanie) fazowe stosujemy:

a) w konwerterach współbieżnych DC-DC
b) w impulsowych konwerterach DC-DC
c) w impulsowych stabilizatorach prądu
d) w prostownikach sterowanych m-pulsowych
IS Modulację PWM stosujemy:
a) w prostownikach sterowanych m-pulsowych
b) w konw erterach AC-DC
c) w układach konwerterów DC-AC
d) w impulsowych konwerterach DC-DC

19, Komparator napięcia z dodatnim sprzężeniem zwrotnym:

a) jest układem z pętlą histerezy
b) jest generatorem astabilnym
c) porównuje tylko napięcia tego samego znaku
d) jest układem regeneracyjnym

20. Przcrzutnik astabilny z komparatorem generuje przebieg:

a) prostokątny jeżeli stosujemy komparator okienkowy
b) o okresie T = RCln2
c) przebieg piloksztaftny jeżeli obwód RĆ ładujemy ze źródła prądu
d) o okresie uzależnionym od m. gdzie m^3E^Es

21. Czas martwy T_M w przerzutnikach monostabilnych:

a) w układach R.CTL jest równy stałej czasowej obwodu RC
b) w układach z komparatorem okienkowy m nic występuje
c) w układach RCTL ogranicza częstotliwość wyzwalania
d) w układach z komparatorem okienkowym uzależniony od Ec

22, Wzmacniacze operacyjne III generacji w układzie wyjściowym ;

a) zawierają układ Darlingtona
b) posiadają układ wzmacniacza mocy z tranzystorami FET
c) posiadają źródła prądowe Nortona
d) wyjście różnicowe z tranzystorami bipolarnymi

23. W technologii Bi-MOS wejściowe prądy polaryzujące

a) są rzędu 2 pA
b) są rzędu 20 pA
c) nie płyną ze wzg. na tranzystory MOS w stopniu wejściowym
d) nic płyną ze wzg. na bardzo dużą imp. wej rzędu 100 GQ
24. Układ różniczkujący' można opisać: