IMG88 7

KYSTYK

I. mA _w

iywk /*«() o rrryautncjMilt

biąucjto ftię t ir/«di płytek

A** f*

tanemhł wcMHpsr    anwiiOBn' onBact gunami^ »

pnący mdhwmam tf»frwapŁ CNi —fiuimyałjmuŁEafc waunwnay *wttf arariBcufc i draiii a wnirinw~ft *<W - 3W*A-

WaiMki

t. Mi ptemr prBpRnadaqd badań z ksnik knjwjci ■rutnaj gwwdiif, ft db płytek karhnrandr.—ych cfcankacry syki <My3»t dh jnfarj płytki i m siłat^ąrrgri aę z ńrófc i nadh pipek ndhirga ad «wq krzywej kpryOK2aq. Piah) z pomrów dp fiok prosu łdantamatta fiwm) z aiewicfluai pnrpttiMi ■ pac zartowrj kw wykresu. Świadczy to o defamacji struktur ziaren karborondowyefa i warstwy przewodzącej

2.    Zm&szsms ilości płytek do dwóch spowodowało wzrost rezystancji i dwuipółkrotny wzrost wartości napięcia obniżonego

3.    W przypadku zwiększenia ilości płytek do trzech napięcie przebicia wzrosło czterokrotnie w stosunku do napięcia mierzonego dla jednej płytki. Przebicie płytek następowało przy dużo wyższym napięciu, i zarazem przy niezmiennej tej samej wartości prądu wyładowczego /&.

4.    Zupełnie inna sytuację obserwujemy w stosunku do krzywych kreślonych z pomiarów płytek ZnO. Obserwujemy możliwość odprowadzenia większych wartości prądów. Napięcie przebicia w stosunku do płytek SiC wzrosło pięciokrotnie, • płytka o rezystancji 5 MA jest w sianie wytrzymać napięcie o 15 % wyższe niż płytka 800 kił i o 10 % wyższe niż płytka 2.5 Mil przy tym samym prądzie wyładowczym. Kształty charakterystyk rzeczywistych zbliżone są do charakterystyki idealnej, kreśląc krzywe z wyraźnym przegięciem.

CMioraii ń( ok Aiłą Mdiwmwią «o .ky.whąK h wbactwcwiaach ocinwęidh    i i

5. 1' pezNiwiifcu ligwiuM Aantunnyi    SA'

km«e pcńdi Nnbo wąską pętkcc njw«»% « ich końce wc M*a Op(ai w aęxi «awtowq i opiłu.yi |K#i SviiiA*^ W o ódenncji arakamy mmi lartwn«A‘«>»* i **rw> prafwodsącei

6l Charaktoystyki płytek 2nO w pełni oddają obraz wzorcowa cknba)5hti nfiięrirur prąlrirj « pmiaci pęth Badane darAtm4>ti dywnrrar p««ł«4 duże «krłjwKwc, a » przypadku charakterystyki stosu wlNlnc iwwartą pętlicę- Stew o rensmeji 8.J MO kreślił pętlę dla napięć «>tu>di o oli4o JO % nil Mstoaci napiec db płytki 2,5 MO i około 20% db płytki o rezystancji 5 MU Sitna pętb stosu 2MD wskazuje na muci«it możliwości odpraMtdKnM dużych pcąJiW udarowych i mc rokuje długiej pracy win stora. Istnieje dulc prawdojxxłohiai$ivvo. H po kilku odpumadaniadi prądu udarowego może dojść do zmiany kształtu krzywej. co by świadczyło o us/kidaeniu rezystora nieliniowego.

7.    Aparatem można przeprowadzać badania pojedynczych (warystorów) płytek o zmiennej rezystancji jak I ich stosów .

8.    Aparat został tak zmodernizowany. te jego pierwotne d/tukinic ntc zostało naruszone, a po usunięciu zamoniou anych elementów będzie można nadal na nim badać przewody nawojowe.