Page 1

Nazwisko_ Imię_ Nr indeksu_

Zaznacz jedną właściwą odpowiedz dla każdego pytania. Punktacja: odpowiedź właściwa +2 pkt, odpowiedź zła -1 pkt, brak odpowiedzi 0 pkt.

1.    Pasmo zabronione w metalu A nie istnieje

B jest bardzo szerokie C ma szerokość dokładnie leV D ma szerokość 10 eV

2.    Koncentracja elektronów w półprzewodniku to:

A energia elektronu

B ilość elektronów w paśmie przewodnictwa w jednostce objętości półprzewodnika

C ilość elektronów walencyjnych w jednostce objętości półprzewodnika D ilość atomów domieszki akceptorowej

3.    Półprzewodnik można domieszkować A dziurami

B elektronami

C donorami lub akceptorami

D fotonami

4.    Przewodzenie prądu elektrycznego przez półprzewodnik polega na poruszaniu się A atomów domieszki

B dziur i elektronów C atomów półprzewodnika D neuronów

5.    Ruchliwość nośników w półprzewodniku to A odwrotność średnicy nośnika

B amplituda drgań nośnika C masa nośnika

D współczynnik proporcjonalności między średnią prędkością nośników i natężeniem pola elektrycznego

6.    Ze wzrostem temperatury napięcie na przewodzącym złączu PN przy stałej wartości prądu A nie zmienia się

B rośnie o 2 mV na stopień

C maleje o 2 mV na stopień

D dla pewnej temperatury osiąga maksimum

7.    Przebicie złącza PN

A zawsze prowadzi do zniszczenia złącza B nigdy nie prowadzi do zniszczenia złącza C może być zastosowane do stabilizacji prądu D może być zastosowane do stabilizacji napięcia

8.    Dioda stabilizacyjna może wykorzystywać zjawisko A fotoelektryczne

B przebicie Zenera lub lawinowe

C przebicia cieplnego D rekombinacji dziur i elektronów

9.    Półprzewodnik może być źródłem światła gdy A zachodzi w nim generacja nośników prądu

B jest w równowadze termodynamicznej C występuje w nim rekombinacja nośników prądu D półprzewodnik nie może być źródłem światła

10.    Model złącza PN dla sygnału o małej amplitudzie składa się z A pojemności i przewodności połączonych równoległe

B jak A lecz połączonych szeregowo C indukcyjności i źródeł prądowych D źródła prądowego i przewodności

11.    Działanie tranzystora bipolarnego polega na A przebijaniu złącz emitera i kolektora