skany052

4

Taki przebieg charakterystyk w zakresie zaporowym obserwujemy dla typowych diod lawanowych oraz diod stabilizacyjnych o napięciach charakterystycznych U_BO >5,6V. Linią przerywaną pokazano adiabatyczne (bez osiągnięcia równowagi termicznej z otoczeniem) charakterystyki dla różnych temperatur diody. Linią ciągłą wykreślono charakterystykę diody uzyskaną dla poszczególnych stanów równowagi cieplnej diody z otoczeniem. Charakterystyka ta przecina charakterystyki adiabatyczne. Z powyższych charakterystyk dla zakresu napięć powyżej U_n0 możemy wyznaczyć dwa parametry:

r_a - dynamiczną rezystancję równowagową (z odwrotności nachylenia charakterystyki równowagowej - linia ciągła), oraz

t\ - dynamiczną rezystancję izotermiczną (z odwrotności nachylenia charakterystyk adiabatycznych dla każdej z temperatur złącza 7} - linie przerywane). Pomiędzy tymi wielkościami istnieje współzależność

duj, du_D

(6.13)

gdzie

(6.14)

zaś

(6.15)

- jest temperaturowym współczynnikiem napięcia przebicia, występujący tutaj jako referencyjny parametr zależny temperaturowo.

Zgodnie z (6.11) temperaturę złącza p-n dla wystarczająco dużych częstotliwości małosygnałowego sygnału zmiennego diody w punkcie pracy (U_DJ_D), możemy wyrazić jako

(6.16)

Przyjmując, że R_rj__c— const zależność (6.13) możemy przekształcić do postaci

W praktyce nie można wyznaczyć wartości du_Djd 7) , ponieważ temperatura złącza 7) nie

jest dostępna do bezpośredniego pomiaru. O wiele prościej jest zmierzyć temperaturę obudowy T_c. Ponadto łatwo sprawdzić, że

= IWUo • U,_a

(6.18)

- gdzie TW(1_I} jest temperaturowym współczynnikiem napięcia według definicji (6.10).