Zestaw 5
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
I |
Nazwisko i Imię........................................................Grupa
1.Sposób prawidłowej polaryzacji złącz tranzystora bipolarnego p-n-p i n-p-n w układzie OE (rysunek); charakterystyka wejściowa tranzystora w tym układzie: dlaczego tranzystory najczęściej .^pracują w układzie OE.
( 2. W jaki sposób w układach scalonych wytwarza się w jednym przewodzącym podłożu dwa ^tranzystory tak, aby były odizolowane od siebie elektrycznie?
(^Narysować schemat wzmacniacza różnicowego (symetrycznego) i podać zasadę działania. AOmówić wpływ rezystancji wyjściowej układu na odporność układu na zakłócenia. oJWyjaśnić zasadę działania bramek ECL, dlaczego bramki te mają bardzo krótkie czasy propagacji?
Zestaw 2 Nazwisko i Imię
Grupa
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
Z |
Jary,„wać charakterystykę I(U) krzemowego złącza p-n, wyjaśnić jej przebieg; jakie parametry
'fcnlćtojęcie czasów propagacji bramki iogicznej. podać rząd wartości tego parametm dia 5 omówić jej dziaianie i zastosowanie.
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
I |
Zestaw 8 u / , p ■/ O 4
Nazwisko i Imię....i.M.t/.f^^.S.V.<................Grupa...?:...^..
chcmat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym; jak wybiera się położenie spoczynkowego unktu pracy tranzystora?; kiedy wzmacniacz jest przesterowany i jakie są objawy przestero wania? 2.W jakim celu budowane są stabilizatory napięcia stałego? Jakie są podstawowe własności takich ,, .^stabilizatorów.
A3.Narysować schemat multiwibratora astabilnego; omówić w nim warunki generacji oraz zasadę x żyjdziałania.
V4Jakie są zakresy napięć dla poziomów logicznych na wejściach i wyjściach układów TTL, jak z .poziomami logicznymi związany jest gwarantowany margines zakłóceń?, y 5vNarysować schemat elektryczny standardowej bramki NAND TTL, wyjaśnić jej działanie.