0035

0035



a


b


c



Rys. 6.38. Rozpraszacze ciepła dla tranzystorów w obudowach TO 5

a) RTr-9 - 45°C/W, b) RTr.s =* 90°C/W, c) RTr.s = 55°C/W

Tz = f (Pw) — temperatura złącza elementu

półprzewodnikowego mocowanego na rozpraszaczu w funkcji wydzielanej mocy,

AT =/(P) — różnica temperatur złącza

i otoczenia w funkcji wydzielanej mocy

oraz wzajemne kombinacje wymienionych charakterystyk.

Dla rozpraszaczy małych mocy najczęściej podawana jest oporność cieplna Rtt-s przy temperaturze otoczenia 25°C w warunkach unoszenia swobodnego. Korzystanie z charakterystyk i danych zawartych w katalogach daje w praktyce w pełni zadawalające rezultaty. Na rysunku 6.38 przedstawiono przykłady rozwiązań konstrukcyjnych rozpraszaczy ciepła dla tranzystorów małych mocy w najczęściej stosowanych obudowach typu TO 5, a na rys. 6.39 wykonane z blachy z brązu berylowego rozpraszacze dla tranzystorów w obudowach TO 5 i TO 18. Jak wynika z przedstawionych charakterystyk cieplnych, rozpraszacze te mają niemalże taką samą wydajność dla położenia pionowego i poziomego, a ich szczególną zaletą jest to, że mogą być montowane na obudowach znacznie różniących się średnicami.

Dla układów scalonych w obudowach Dual in Linę stosuje się rozpraszacze cięte z kształtowników aluminiowych (rys. 6.40) lub wycinane i krępowane z blachy aluminiowej (rys. 6.41). W tym ostatnim przykładzie dla dopuszczalnego przyrostu temperatury równego 40°C, moc rozpraszacza w warunkach unoszenia wymuszonego wynosi 1,2 W, przy unoszeniu swobodnym 0,75 W, a układ scalony bez rozpraszacza mógłby wydzielić tylko moc 0,45 W.

W przypadku elementów półprzewodnikowych średnich i dużych mocy, rozpraszacze ciepła wykonywane są najczęściej (mały koszt) z kształtowników aluminiowych, których kilkaset profilów jest produkowanych przez wiele firm. Kształtowniki takie tnie się na odcinki mające określoną oporność cieplną. Na rysunku 6.42 przedstawiono sposób wyznaczania długości rozpraszaczy ciepła z czterech profilów aluminiowych.

Na szczególne zalecenie zasługują rozpraszacze ciepła dla tranzystorów dużych mocy przedstawione na rys. 6.43. Rozpraszacze te charakteryzują się bardzo dobrym stosunkiem rozpraszanej mocy do wymiarów i ciężaru.

Odrębnego podejścia wymaga dobór rozpraszaczy dla diod i tyrystorów dużej mocy. Ponieważ niemal wszystkie firmy wytwarzające elementy półprzewodnikowe tego samego typu wytwarzają je w identycznych, znormalizowanych obudowach, więc powstała także możliwość zunifikowania dla nich urządzeń odprowadzających ciepło. Realizację tego widać w przypadku indywidualnych rozpraszaczy dla diod średnich i dużych mocy. Szereg firm produkuje pod różnymi oznaczeniami identyczne rozpraszacze. Ich wymiary geometryczne, charakterystyki cieplne i zasadę doboru przedstawiają rys. 6.44 i 6.45.

209


6.3. WYKORZYSTANIE POWIETRZA DO ODPROWADZANIA CIEPŁA


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Rys. 6.43. Rozpraszacze ciepła dla elementów półprzewodnikowych mocy a) rozpraszacze, b) charakterys
6.3. WYKORZYSTANIE POWIETRZA DO ODPROWADZANIA CIEPŁA Rys. 6.41. Kozpraszacz ciepła dla
spektroskopia051 102 A<j [cm 1] Rys. 60. Widma rozpraszania Ramana dla GaAs o orientami (100) ora
spektroskopia054 108 Liczba falowa [cm 1] Rys. 65. Widmo rozpraszania Ramana dla GaAs, otrzymanego m
052 2 wymiar O (1.5.5.7)i, mm Rys. 1.5.4.38. Współczynnik wielkości przedmiotu £ dla elementów stalo
296 (38) - 296Tranzystor bipolarny wania tranzystora. Dla współczynnika k} = 1, gdy nie ma ładunku p
rys06b Rys.2.6. Głowica do bonowania dla p 50 ? 70 mm: l" - o-prawka osełki, 2 - trzpień rozprę
16 Podstawy energoelektroniki - laboratorium Rys. 7. Przybliżone obliczane energii traconej w tranzy
Dziennik Ustaw Nr 38 — 2414 — Poz. 249 § 10. 1. W sali rozprawczęść przeznaczona dla publicznoś
1 i. I - r~ » • • u i t i>. rys. 227. obliczenie strat ciepła dla każdego
a Rys. 6.80. Tranzystor b Rys. 6.81. Pochłaniacze ciepła a) mieszkowy, b)
395 (14) Tranzystor MIS- 395 Rys. 6.29 Charakterystyki przejściowo dla czterech rodzajów tranzystoró
Image153 1000 rotoo Funkcja opisująca sprzężenie: F‘C®D Rys. 4.106. Diagram stanów dla rejestru lini
Częsc 1 11 rys. 1.9. położenie środka ścinania Dla ceownika: Środek ścinania znajduje się w

więcej podobnych podstron