0074

0074




a



Rys. 6.80. Tranzystor

b

Rys. 6.81. Pochłaniacze ciepła a) mieszkowy, b) komorowy

(6-87)


[cm]


Ciepłowody do odprowadzania ciepła w stabilizatorach napięcia i hybrydowych wzmacniaczach mocy w.cz.

Ostatnio pojawiają się rozwiązania konstrukcyjne elementów elektronicznych, w których cieplowód jest integralną częścią elementu. Przykładem takim jest tranzystor w.cz. (rys. 6.80), w którego obudowie znajduje się cie-płowód. Rozwiązanie takie umożliwiło dwukrotne obniżenie temperatury złącza przy wzroście mocy maksymalnej o 25%.

6.5.3. Pochłaniacze ciepła — budowa i działanie

W urządzeniach elektronicznych istnieją sytuacje, w których elementy pracują okresowo, wydzielając ciepło w określonych przedziałach czasu. Do odprowadzania ciepła z takich elementów można stosować ■ pochłaniacze ciepła, których działanie opiera się na zjawisku topnienia i krzepnięcia. Przy zmianie fazy stałej w ciekłą ciała absorbują pewną ilość ciepła, odpowiadającą entalpii topnienia ir. Zjawisko to przebiega w stałej temperaturze przez czas potrzebny na całkowitą zmianę ciała stałego w ciecz. Odwrotnie, przy zmianie cieczy w ciało stałe pochłonięta ilość ciepła jest zwracana. Ilość ciepła pochłanianego lub zwracanego zależy od ilości ciała zmieniającego fazę. Można zatem napisać bilans:

to    — masa ciała [g],

ir    — entalpia topnienia [J/g].

Pochłaniacze ciepła są zbudowane w postaci zbiorników wypełnionych materiałem ulegającym topnieniu w określonej temperaturze Tt. Zbiorniki mogą mieć postać mieszków lub budowę komorową (rys. 6.81). Na jednej ściance pochłaniacza montuje się ele- ment wytwarzający ciepło Qe, a na drugiej rozpraszacz ciepła wydzielający ciepło Qr (rys. 6.82). W najprostszym przypadku pochłaniacz ma objętość:

V = F$ [cm1]    (6-85) gdzie:

F — powierzchnia wymiany ciepła [cm2 3 4],

8 — grubość pochłaniacza [cm], i równanie bilansu przyjmuje postać:    /

Qe(ti — r 0) = qF dir    (6-86) skąd grubość pochłaniacza:

Qe(z i — r0) gFir

(g [g/cm1] jest gęstością materiału ulegającego topnieniu).

Na rysunku 6.82 przedstawiono cykl pracy pochłaniacza ciepła. W okresie pracy elementu elektronicznego z i t0 pochłaniacz absorbuje ciepło w ilości Qe, a przez okres t2 — tą oddaje ciepło Qr do otoczenia:

QE(Ti — To) = Qr(t2 ~ zb

(6-88)


Qe (Ti - r0) = m ir    (6-84)

gdzie:

Qe — ilość ciepła doprowadzanego [W], Ti — z, — przedział czasu, w którym ciało ulega stopieniu [s],

czyli podczas pełnego cyklu pracy do otoczenia jest przekazywany średni strumień ciepła:

Qr = Qe --— [W]    (6-89)

?2 Tl

248


6. ODPROWADZANIE CIEPŁA Z URZĄDZEŃ ELEKTRONICZNYCH

1

struktura włoskowata

2

mocy z ciepłowodem

3

   — płytka półprzewodnika,

4

   — obudowa, 3 —


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
a bc Rys. 6.38. Rozpraszacze ciepła dla tranzystorów w obudowach TO 5 a) RTr-9 - 45°C/W, b) RTr.s =*
Rys. 6.82. Zasada działania pochłaniacza ciepła 1    — element wydzielający ciepło, 2
img207 207 Rys. 1.81. Widmo gęstości mocy sygnału ciągłego kluczowania częstotliwości FSK dla różnyc
image001 b)c) Rys. 81. Denniki statku z poprzecznym układem wiązań dna: a) szczelny: b) pełny; c) ot
t Rys. 4.81. Parametry geometryczne śmigła Promień śmigła R jest to odległość mierzona od osi piasty
IMG151 Rys. 2.81. Oddzielacze z elementami roboczymi w postaci: I — poziomego popychao*. 2 -» waka z
Rys 6 1 bmp tttlH *• Rys. 6-1. Schemat przepływu ciepła podczas pracy chłodziarki
077 tif 77 Rys. 1.81. Układanie pustaków SZ-1TB na belkach Teriva przy ścianach równoległych do
0000025(1) ^ / H-C-OH Rys. 81. Schemat epimeryzacji i izomeryzacji cukrów CH20H ^HO-Ć-H 1
53 (199) 104 1.3.9. W trzech wierzchołkach prostopadłościanu (rys. 1.81) działaję siły Pj - 25 N, P£
116 3 PR m PD Rys 81. Statek z przegłębieniem konstrukcyjnym W stanie załadowanym dąży się zazwyczaj
RYS. 81 KOŚĆ UDOWA PRAWA (A - widok od przodu; B - widok od tylu) •    1 głowa k. udo

więcej podobnych podstron