ScannedImage 14

Warunki natężenia promieniowania

lOCOWm’ ■oCVWJrⁱ 5KWB- ;50Wo' »Yf'n>»

i 35.3 rnVWcm2

o AMD - promieniowanie poza afrnosferą ziemską

o AM1 - obszar podzwrotnikowy optymalne warunki prorrtieniowariia 100 mW/cm2

o AM2 - słońce znajduje się pod kątem 60 stopni 72-75 m¥V/fcm2

„ Czynnikami, które wywierają znaczny wpływ na sprawność konwersji fotowottaicznej są

o rodzaj materiału z którego wykonane,

o szerokość przerwy energetycznej półprzewodnika,

c niezgodność charakterystyki emisyjnej promieniowania słonecznego z charakterystyką absorpcyjną fotoogniwa,

o czułość wdmowa fotoogniwa (dla różnych źródeł świata otrzymujemy różną sprawność nsrwetprzy tym samyrn natężeniu oświetieriia te),

o konslrukcja fotoogniwa,

o straty wywołane odbiciem promieniowania od zewnętrznej powierzchni zewnętrznej ogniwa.

o opór omowy obwodu ogniwa.

o cień elektrod na powierzchni ogniwa,

o spadek sprawności w skutek nieoptymalnej temperatury (zbyt wysokiej lub zbyt niskiej)

14

Współczesne rodzaje fotoogniw

-    fotoogniwa z krzemu rnonokrystaiicznego (c-Si)

-    fotoogniwa z krzemu multikrystalicznego (m-Si)

-    cienkowarsWwe ogniwa z krzemu amorficznego (a-Si)

-    cienkowarstwowe ogniwa ze związków półprzewodnikowych

-    setenekindawo miedziowy (CIS)

-    tellurek kadmu (CdTe)

-    fotoogniwa z arsenku galu (GbAs)

-    fotowottaiczne ogniwa barwnikowe

-    elastyczne ogniwa słoneczne

	Si02
	J3L
	Krzem hutniczy

	chlorowanie, destylacja, redukcja wodorem
Krzem polikrystaliczny (oSi) "j > . .................................. y
£	przetapianie metodą Czochralsfciego

Krzem monokry staIiczny(m-Si)

Domieszkowanie F i B

15

# <y

Fotoogniwo z krzemu rnonokrystaiicznego (c-Si)

P 3 n el fotowoltai czny zkizemu mon okrysia l i czn e ąc

•Sprawność pojedynczych ogniw fotcwoltaicznych z krzemu rnonokrystaiicznego zawiera się w granicach od 15 % do 18 %,

•    gęstość prądu zwarcia Jk około 35,5 mA'cm2,

•    napięcie obwodu otwartego Voc około 0,641 V,

■ natomiast współczynnik wypełnienia FF** 0,822,

•    grubość ogniwa 0,2-s- 0,3 mm.

Fotoogniwo z krzemu polikrystalicznego (m-Si)

■Sprawność krzemu poiikrystaiicznego jest około 20 % mniejsza od wydajności krzemowych ognkwmonokrystalicznych, z czego 8 % wynika ze zmniejszenia się gęstości prądu zwarcia spowodowanego granicami ziam, 8 % pochodzi z redukcir Jsc związanej ze skróceniem się drogi dyfuzji nośnitów mniejszościowych wewnątrz ziam, a 4 % ze zmniejszenia się napięcia obwodu otwartego Voe.

■Sprawność typowych paneii fotowoltaicznych z krzemu polikrystalicznego zawiera się w przedziale (12-14)%,

17

is